Analog Devices presenta el ADRF5020 que es un conmutador unipolar de doble tiro (SPDT) polivalente, fabricado usando un proceso de silicio. Viene en un paquete de matriz de contactos en rejilla (LGA) de 3 mm × 3 mm, de 20 conductores y proporciona el alto aislamiento y pérdida de inserción baja de 100 MHz a 30 GHz. Este interruptor de banda ancha requiere dos voltajes, +3,3 V y -2,5 V, y proporciona control de lógica compatible con CMOS/LVTTL. Las aplicaciones incluyen equipos de prueba y medición de RF y microondas, una alternativa a los interruptores basados en diodo PIN, radios militares, radares, sistemas de contramedidas electrónicas, infraestructura celular 5G y front-end RF.
| Características |
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- Rango de frecuencia de banda ultra ancha: 100 MHz a 30 GHz
- Pérdida de inserción baja y características planas
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- Fabricado en tecnología avanzada de silicio
- Paquete de RoHS compacto en forma STM
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ADRF5130 de Analog DevicesAnalog Devices es un interruptor de polo único y posición doble (SPDT) reflectivo, de silicio, de alta potencia y de 0.7 GHz a 3.5 GHz en un paquete SMT sin conductores. El interruptor es ideal para aplicaciones de infraestructura celular de alta potencia, como las estaciones base de evolución a largo plazo (LTE). ADRF5130 tiene un manejo de alta potencia de 43 dBm (máximo), una pérdida de inserción baja de 0.6 dB, intercepción de entrada del tercer orden de 68 dBm (típica) y una compresión de 0.1 dB (P0.1dB) de 46 dBm. El circuito en el chip funciona en una fuente única y positiva de5 V de voltaje y corriente típica de 1.06 mA, lo cual hace que el ADRF5130 sea una alternativa ideal para interruptores basados en diodos PIN. El dispositivo viene en un paquete LFCSP compacto de 4 mm x 4 mm de 24 conductores que cumple con RoHS. Las aplicaciones incluyen sistemas MIMO de infraestructura celular de front end RF para protección de LNA, interruptores de antena repetidores celulares, equipos de prueba de RF portátil y modular y equipos de medición y reemplazo de diodo PIN en aplicaciones de RF de alta potencia.
| Características |
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- Manejo de potencia pico de 44 W
- Bajo suministro de corriente y voltaje
- Sin componentes externos para la generación de polarización
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- Fabricado en tecnología avanzada de silicio
- Paquete compacto de SMT RoHS
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