Ampleon

Transistores de potencia CLL3H0914L-700/CLL3H0914LS-700

Los transistores de potencia de Ampleon ofrecen una baja resistencia térmica y una excelente eficiencia

Los CLL3H0914L-700 y CLL3H0914LS-700 de Imagen de los transistores de potencia CLL3H0914L-700/CLL3H0914LS-700 de AmpleonAmpleon son transistores de potencia HEMT de GaN-SiC de 700 W preajustados internamente que pueden utilizarse en el rango de frecuencias de 0.9 GHz a 1.4 GHz. Los dispositivos ofrecen una excelente eficiencia, resistencia térmica y robustez, adecuadas para aplicaciones de pulso corto y largo.

El CLL3H0914L-700 y el CLL3H0914LS-700 son capaces de soportar un desajuste de carga correspondiente a VSWR = 10:1 en todas las fases bajo las siguientes condiciones VDSP = 50 V; f = 1,300 MHz a la potencia de carga nominal en la placa de desarrollo de RF utilizando una señal de RF CW pulsada.

Ampleon recomienda los siguientes controladores para cada transistor de potencia: CLF3H0060-30 para CLL3H0914L-700 y CLF3H0060S-30 para CLL3H0914LS-700.

Características
  • Diseños de referencia de pulso corto y alta eficiencia a 960 MHz a 1,215 MHz y 1,030 MHz para aplicaciones de aviónica
  • Diseños de referencia de alta eficiencia y pulso largo a 1.2 GHz y 1.4 GHz
  • Resistencia térmica baja
  • Excelente solidez
  • Cumplen con la directiva RoHS

CLL3H0914L-700/CLL3H0914LS-700 Power Transistors

ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónCantidad disponiblePrecioVer detalles
RF MOSFET GAN 50V SOT502ACLL3H0914L-700URF MOSFET GAN 50V SOT502A0 - Inmediata$594.58Ver detalles
RF MOSFET GAN 50V SOT502BCLL3H0914LS-700URF MOSFET GAN 50V SOT502B45 - Inmediata$459.65Ver detalles

Drivers

ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónCantidad disponiblePrecioVer detalles
RF MOSFET HEMT 50V CDFM2CLF3H0060-30URF MOSFET HEMT 50V CDFM20 - InmediataSee Page for PricingVer detalles
RF MOSFET HEMT 50V SOT1227BCLF3H0060S-30URF MOSFET HEMT 50V SOT1227B0 - InmediataSee Page for PricingVer detalles
Publicado: 2022-11-04