Alliance Memory, Inc.

SDRAM DDR móviles de alta velocidad

Alliance Memory introduce los DRAM sincrónicos de doble velocidad de datos de alta velocidad AS4CxxMxxMD1.

Los DRAM sincrónicos de velocidad de datos doble CMOS móvil y de alta velocidad de Imagen de SDRAM DDR de alta velocidad AS4C16M16MD1/32M16MD1/16M32MD1/64M16MD1 de Alliance MemoryAlliance Memory están diseñados para aumentar la eficiencia y ampliar la vida de la batería en dispositivos portátiles compactos. Con bajo consumo de energía de 1.7 V a 1.95 V y un número de características de ahorro de energía, los dispositivos de 256 MB, 512 MB, 1 GB y 2 GB se ofrecen en paquetes FPBGA de 60 bolas y de 8 mm x 9 mm y de 90 bolas de 8 mm x 13 mm. Los AS4C16M16MD1, AS4C32M16MD1, AS4C16M32MD1, AS4C64M16MD1, AS4C32M32MD1 y AS4C64M32MD1 proporcionan reemplazo automático y confiable, compatible pin por pin para un número de soluciones similares en aplicaciones de sistemas de alto rendimiento, de gran ancho de banda de memoria.

Características y beneficios
  • Bajo consumo de energía de 1.7 V a 1.95 V
  • Características de ahorro de energía:
    • Autoactualización con compensación de temperatura (ATCSR)
    • Actualización de matriz parcial (PASR)
    • Modo de apagado profundo (DPD)
  • Arquitectura de velocidad de datos doble para velocidades de reloj rápido de 166 MHz y 200 MHz
  • Cada dispositivo está disponible en rangos de temperatura extendida (-30 °C a + 85 °C) e industrial (-40 °C a + 85 °C).
  • Internamente se configura como cuatro bancos de 16 M x 16 bits y 32 bits; 32 M y 64 M x 16 bits; y 32 M y 64 M x 32 bits.
  • Se ofrecen en paquetes de FPBGA de 60 bolas de 8 mm x 9 mm y de 90 bolas de 8 mm x 13 mm.
  • Operación completamente sincrónica
  • Latencia programable de lectura/escritura (RL/WL) y longitud de ráfaga de 4, 8 o 16
  • Función de precarga automática que proporciona fila son autosincronización precargada, que se inicia al final de la secuencia de ráfaga
  • Función de actualización fácil de usar que incluyen actualización automática
  • Cumplen con la directiva RoHS.
  • Libres de plomo y halógeno

High-Speed Mobile DDR SDRAMs

ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónCantidad disponiblePrecioVer detalles
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IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGAAS4C16M32MD1-5BCNIC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA0 - InmediataSee Page for PricingVer detalles
Publicado: 2016-02-24

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