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SDRAM DDR CMOS de alta velocidad

Alliance Memory presenta los SDRAM DDR CMOS de alta velocidad AS4C32M8D1/16D1 y AS4C64M8D1/16D1.

Los dispositivos AS4C32M8D1, AS4C32M16D1A, AS4C64M8D1 y AS4C64M16D de Imagen de SDRAM DDR CMOS de alta velocidad AS4C32M8D1/16D1 de Alliance MemoryAlliance Memory son DRAM sincrónicos de doble tarifa de datos (SDRAM DDR) CMOS de alta velocidad que ofrecen densidades de 256 MB, 512 MB y 1 GB, respectivamente que se suma a su actual cartera de productos de densidad DDR1 de 64 M (4 M x 16) / (2 M x 32) y 128 M (8 M x 16) / (4 M x 32). Los dispositivos proporcionan reemplazo confiable e inmediato, compatible pin por pin para un número de soluciones similares en aplicaciones industriales, médicas, de comunicaciones y productos de telecomunicaciones que requieren gran ancho de banda, y son especialmente aptos para aplicaciones de PC de alto rendimiento.

Características y beneficios
  • Se ofrecen en paquete TFBGA de 60 bolas y de 8 mm x 13 mm x 1.2 mm y en paquete TSOP II de 66 pines con paso de pin de 0.65 mm
  • Internamente se configura como cuatro bancos de palabra de 32 M x 8 bits (AS4C32M8D1), palabra de 64 M x 8 bits (AS4C64M8D1) y M 64 x 16 bits (AS4C64M16D1) con un interfaz sincrónico.
  • Rangos de temperatura (-40 °C a + 85 °C) disponible en rangos de temperatura industriales y comerciales (0°C a + 70° C)
  • Longitudes de ráfaga programables de escritura o lectura de 2, 4 o 8
  • Función de precarga automática que proporciona fila son autosincronización precargada, que se inicia al final de la secuencia de ráfaga
  • Función de actualización fácil de usar que incluyen actualización automática
  • Modo de registro programable que permite al sistema elegir los modos más aptos para maximizar el rendimiento
  • Tarifas de reloj rápido de 200 MHz y de 166 MHz
  • Funcionamiento a partir de una sola fuente de alimentación de +2.5 V (±0.2 V)
  • Libres de plomo y halógeno

High-Speed CMOS DDR SDRAMs

ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónCantidad disponibleVer detalles
IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP IIAS4C32M16D1A-5TINIC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II924 - InmediataVer detalles
IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP IIAS4C64M16D1-6TCNIC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II216 - InmediataVer detalles
IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP IIAS4C32M16D1A-5TCNIC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II138 - InmediataVer detalles
IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP IIAS4C64M16D1-6TINIC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II201 - InmediataVer detalles
IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP IIAS4C64M8D1-5TINIC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II15 - InmediataVer detalles
Publicado: 2016-02-24