Alliance Memory, Inc.

SRAM CMOS de 32 M AS6C3216 de alta densidad y bajo consumo

Alliance Memory ofrece sus SRAM CMOS de CI AS6C3216 de 32 M (2 M x 16 / 4 M x 8 conmutable) de alta densidad, de baja potencia.

Imagen de SRAM CMOS de 32 M AS6C3216 de alta densidad y baja potencia de Alliance MemoryAS6C3216 de Alliance Memory es una memoria de acceso aleatorio estática de CMOS de 33,554,432 bits y baja potencia organizada como 2,097,152 palabras x 16 bits o 4,194,304 palabras x 8 bits. Se fabrica con tecnología CMOS de muy alto rendimiento y alta confiabilidad. Su corriente es estable dentro del rango de temperatura de funcionamiento. El AS6C3216 está bien diseñado para aplicaciones de baja potencia y particularmente bien adaptado para la aplicación de memoria no volátil de respaldo de batería. El AS6C3216 funciona desde una sola fuente de alimentación de 2.7 V ~ 3.6 V y todas las entradas y salidas son totalmente compatibles con TTL.

Características y beneficios
  • Funciona de una sola fuente de alimentación de 2.7 V a 3.6 V
  • Rápido tiempo de acceso de 55 ns
  • Bajo consumo de energía con una corriente típica de funcionamiento de 45 mA y corriente de espera de 10 μA
  • Tensión de retención de datos de 1.2 V mínimo
  • Operación completamente estática y salida de triestado
  • Salidas y entradas completamente compatibles con TTL
  • Paquete TSOP-I de 48 pines  de 12 mm x 20 mm y paquete TFBGA de 48 bolas de 8 mm x 10 mm
Aplicaciones
  • Aplicaciones industriales, de telecomunicaciones, médicas y automotrices de bajo consumo
  • Memoria no volátil de respaldo a batería

AS6C3216 Series

ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónCantidad disponiblePrecioVer detalles
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Publicado: 2016-02-24

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