Seminario web - GaN HEMT (EcoGaN™) de alto voltaje para sistemas de potencia

HEMT GaN (Nitruro de galio) han permitido a los diseñadores dar un giro vital en el desarrollo de dispositivos de manejo de potencia de nueva generación. Los semiconductores compuestos no basados en silicio, como el GaN, permiten crear dispositivos de mayor eficiencia, más fiables, de mayor frecuencia, mayor potencia y menor consumo. Rohm Semiconductor ha empleado las mejores características de conmutación y la menor resistencia ON del GaN en su línea GaN HEMT o EcoGaN de GaNFET de alta potencia.

Kengo Ohmori, gerente de marketing de productos técnicos de Rohm Semiconductor en EE.UU., dirige el debate sobre el impacto de GaN en los dispositivos compactos de bajo consumo y en los circuitos integrados que optimizan la tecnología GaN. Ohmori nos habla del futuro de los sistemas de potencia basados en GaN y de otros temas interesantes.

El seminario web en línea de una hora se realizará el jueves 3 de octubre de 2024, a las 11 a.m. CDT. Aunque no pueda asistir a la sesión en vivo, asegúrese de registrarse para que podamos enviarle un enlace a la grabación cuando haya terminado.

Regístrese aquí: https://event.on24.com/wcc/r/4711337/5C98B5EC96858152A6D25439BCC44AA6?partnerref=blog