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Transistores - FET, MOSFET - Individual

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CoolMOS S7
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Comparar piezas Datasheets Imagen Número de pieza de Digi-Key Número de pieza del fabricante Fabricante Descripción Cantidad disponible
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Cantidad mínima Embalaje Serie Estado de pieza Tipo FET Tecnología Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) Rds On (máx) @ Id, Vgs Vgs(th) (máx) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Vgs (máx.) Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Característica de FET Disipación de potencia (Máx.) Temperatura de funcionamiento Tipo de montaje Paquete del dispositivo del proveedor Paquete / Caja (carcasa)
   
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IPP60R022S7XKSA1 - Infineon Technologies 448-IPP60R022S7XKSA1-ND IPP60R022S7XKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 23A TO220-3 801 - Inmediata Disponible: 801 8,92000 € 1 Mínimo: 1 Tubo CoolMOS™S7 Activo Canal N MOSFET (óxido de metal) 600V 23 A (Tc) 12V 22mOhm a 23A, 12V 4.5V a 1.44mA 150nC @ 12V ±20V 5639pF @ 300V
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390W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Orificio pasante PG-TO220-3-1 TO-220-3
IPS70R2K0CEAKMA1 Datasheet IPS70R2K0CEAKMA1 - Infineon Technologies IPS70R2K0CEAKMA1-ND IPS70R2K0CEAKMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3 1.601 - Inmediata Disponible: 1.601 0,60000 € 1 Mínimo: 1 Tubo CoolMOS™ Activo Canal N MOSFET (óxido de metal) 700V 4 A (Tc) 10V 2Ohm a 1A, 10V 3.5V a 70µA 7,8nC @ 10V ±20V 163pF @ 100V Súper empalme 42W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) Orificio pasante PG-TO251-3 TO-251-3, conductores de tope, IPak
IPS70R600P7SAKMA1 Datasheet IPS70R600P7SAKMA1 - Infineon Technologies IPS70R600P7SAKMA1-ND IPS70R600P7SAKMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 700V 8.5A TO251-3 1.682 - Inmediata Disponible: 1.682 0,75000 € 1 Mínimo: 1 Tubo CoolMOS™ P7 Activo Canal N MOSFET (óxido de metal) 700V 8.5 A (Tc) 10V 600mOhm a 1.8A, 10V 3.5V a 90µA 10,5nC @ 10V ±16V 364pF @ 400V
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43W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) Orificio pasante PG-TO251-3 TO-251-3, conductores cortos, IPak, TO-251AA
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IPT60R040S7XTMA1 - Infineon Technologies 448-IPT60R040S7XTMA1TR-ND IPT60R040S7XTMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 13A 8HSOF 0 Disponible: 0
Plazo estándar 26 semanas
4,77573 € 2.000 Mínimo: 2.000 Cinta y rollo (TR)
Embalaje alternativo
CoolMOS™S7 Activo Canal N MOSFET (óxido de metal) 600V 13 A (Tc) 12V 40mOhm a 13A, 12V 4.5V a 790µA 83nC @ 12V ±20V 3127pF @ 300V
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245W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie PG-HSOF-8-2 8-PowerSFN
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IPT60R040S7XTMA1 - Infineon Technologies 448-IPT60R040S7XTMA1CT-ND IPT60R040S7XTMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 13A 8HSOF 1.938 - Inmediata Disponible: 1.938 7,47000 € 1 Mínimo: 1 Cinta cortada (CT)
Embalaje alternativo
CoolMOS™S7 Activo Canal N MOSFET (óxido de metal) 600V 13 A (Tc) 12V 40mOhm a 13A, 12V 4.5V a 790µA 83nC @ 12V ±20V 3127pF @ 300V
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245W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie PG-HSOF-8-2 8-PowerSFN
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IPT60R040S7XTMA1 - Infineon Technologies 448-IPT60R040S7XTMA1DKR-ND IPT60R040S7XTMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 13A 8HSOF 1.938 - Inmediata Disponible: 1.938 Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Mínimo: 1 Digi-Reel®
Embalaje alternativo
CoolMOS™S7 Activo Canal N MOSFET (óxido de metal) 600V 13 A (Tc) 12V 40mOhm a 13A, 12V 4.5V a 790µA 83nC @ 12V ±20V 3127pF @ 300V
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245W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie PG-HSOF-8-2 8-PowerSFN
IPS70R900P7SAKMA1 Datasheet IPS70R900P7SAKMA1 - Infineon Technologies IPS70R900P7SAKMA1-ND IPS70R900P7SAKMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 700V 6A TO251-3 812 - Inmediata Disponible: 812 0,59000 € 1 Mínimo: 1 Tubo CoolMOS™ P7 Activo Canal N MOSFET (óxido de metal) 700V 6 A (Tc) 10V 900mOhm a 1.1A, 10V 3.5V a 60µA 6,8nC @ 10V ±16V 211pF @ 400V
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30.5W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) Orificio pasante PG-TO251-3 TO-251-3, conductores cortos, IPak, TO-251AA
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IPT60R022S7XTMA1 - Infineon Technologies 448-IPT60R022S7XTMA1TR-ND IPT60R022S7XTMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 23A 8HSOF 0 Disponible: 0 8,29467 € 2.000 Mínimo: 2.000 Cinta y rollo (TR)
Embalaje alternativo
CoolMOS™S7 Activo Canal N MOSFET (óxido de metal) 600V 23 A (Tc) 12V 22mOhm a 23A, 12V 4.5V a 1.44mA 150nC @ 12V ±20V 5639pF @ 300V
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390W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie PG-HSOF-8-2 8-PowerSFN
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IPT60R022S7XTMA1 - Infineon Technologies 448-IPT60R022S7XTMA1CT-ND IPT60R022S7XTMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 23A 8HSOF 0 Disponible: 0 11,45000 € 1 Mínimo: 1 Cinta cortada (CT)
Embalaje alternativo
CoolMOS™S7 Activo Canal N MOSFET (óxido de metal) 600V 23 A (Tc) 12V 22mOhm a 23A, 12V 4.5V a 1.44mA 150nC @ 12V ±20V 5639pF @ 300V
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390W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie PG-HSOF-8-2 8-PowerSFN
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IPT60R022S7XTMA1 - Infineon Technologies 448-IPT60R022S7XTMA1DKR-ND IPT60R022S7XTMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 23A 8HSOF 0 Disponible: 0 Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Mínimo: 1 Digi-Reel®
Embalaje alternativo
CoolMOS™S7 Activo Canal N MOSFET (óxido de metal) 600V 23 A (Tc) 12V 22mOhm a 23A, 12V 4.5V a 1.44mA 150nC @ 12V ±20V 5639pF @ 300V
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390W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie PG-HSOF-8-2 8-PowerSFN
IPS70R1K4P7SAKMA1 Datasheet IPS70R1K4P7SAKMA1 - Infineon Technologies IPS70R1K4P7SAKMA1-ND IPS70R1K4P7SAKMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3 57 - Inmediata Disponible: 57 0,59000 € 1 Mínimo: 1 Tubo CoolMOS™ P7 Activo Canal N MOSFET (óxido de metal) 700V 4 A (Tc) 10V 1.4Ohm a 700mA, 10V 3.5V a 40µA 4,7nC @ 10V ±16V 158pF @ 400V
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22.7W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) Orificio pasante PG-TO251-3 TO-251-3, conductores cortos, IPak, TO-251AA
IPS70R360P7SAKMA1 Datasheet IPS70R360P7SAKMA1 - Infineon Technologies IPS70R360P7SAKMA1-ND IPS70R360P7SAKMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 700V 12.5A TO251-3 83 - Inmediata Disponible: 83 0,90000 € 1 Mínimo: 1 Tubo CoolMOS™ P7 Activo Canal N MOSFET (óxido de metal) 700V 12.5 A (Tc) 10V 360mOhm a 3A, 10V 3.5V a 150µA 16,4nC @ 10V ±16V 517pF @ 400V
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59.5W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) Orificio pasante PG-TO251-3 TO-251-3, conductores cortos, IPak, TO-251AA
IPS70R950CEAKMA1 Datasheet IPS70R950CEAKMA1 - Infineon Technologies IPS70R950CEAKMA1-ND IPS70R950CEAKMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 700V 7.4A TO251 0 Disponible: 0
Plazo estándar 26 semanas
0,68000 € 1 Mínimo: 1 Tubo CoolMOS™ Activo Canal N MOSFET (óxido de metal) 700V 7.4 A (Tc) 10V 950mOhm a 1.5A, 10V 3.5V a 150µA 15,3nC @ 10V ±20V 328pF @ 100V Súper empalme 68W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) Orificio pasante PG-TO251 TO-251-3, conductores de tope, IPak
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IPT60R065S7XTMA1 - Infineon Technologies 448-IPT60R065S7XTMA1TR-ND IPT60R065S7XTMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 8A 8HSOF 0 Disponible: 0
Plazo estándar 26 semanas
2,93248 € 2.000 Mínimo: 2.000 Cinta y rollo (TR)
Embalaje alternativo
CoolMOS™S7 Activo Canal N MOSFET (óxido de metal) 600V 8 A (Tc) 12V 65mOhm a 8A, 12V 4.5V a 490µA 51nC @ 12V ±20V 1932pF @ 300V
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167W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie PG-HSOF-8-2 8-PowerSFN
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IPT60R065S7XTMA1 - Infineon Technologies 448-IPT60R065S7XTMA1CT-ND IPT60R065S7XTMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 8A 8HSOF 0 Disponible: 0
Plazo estándar 26 semanas
5,11000 € 1 Mínimo: 1 Cinta cortada (CT)
Embalaje alternativo
CoolMOS™S7 Activo Canal N MOSFET (óxido de metal) 600V 8 A (Tc) 12V 65mOhm a 8A, 12V 4.5V a 490µA 51nC @ 12V ±20V 1932pF @ 300V
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167W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie PG-HSOF-8-2 8-PowerSFN
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IPT60R065S7XTMA1 - Infineon Technologies 448-IPT60R065S7XTMA1DKR-ND IPT60R065S7XTMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 8A 8HSOF 0 Disponible: 0
Plazo estándar 26 semanas
Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Mínimo: 1 Digi-Reel®
Embalaje alternativo
CoolMOS™S7 Activo Canal N MOSFET (óxido de metal) 600V 8 A (Tc) 12V 65mOhm a 8A, 12V 4.5V a 490µA 51nC @ 12V ±20V 1932pF @ 300V
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167W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie PG-HSOF-8-2 8-PowerSFN
IPDQ60R010S7XTMA1 Datasheet Photo Not Available 448-IPDQ60R010S7XTMA1TR-ND IPDQ60R010S7XTMA1 Infineon Technologies HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22 0 Disponible: 0
Plazo estándar 26 semanas
18,19673 € 750 Mínimo: 750 Cinta y rollo (TR)
Embalaje alternativo
CoolMOS™ Activo Canal N MOSFET (óxido de metal) 600V 50 A (Tc) 12V 10mOhm @ 50A, 12V 4.5V @ 3.08mA 318nC @ 12V ±20V 11987pF @ 300V
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694W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie PG-HDSOP-22-1 22-PowerBSOP Module
IPDQ60R010S7XTMA1 Datasheet Photo Not Available 448-IPDQ60R010S7XTMA1CT-ND IPDQ60R010S7XTMA1 Infineon Technologies HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22 0 Disponible: 0
Plazo estándar 26 semanas
23,08000 € 1 Mínimo: 1 Cinta cortada (CT)
Embalaje alternativo
CoolMOS™ Activo Canal N MOSFET (óxido de metal) 600V 50 A (Tc) 12V 10mOhm @ 50A, 12V 4.5V @ 3.08mA 318nC @ 12V ±20V 11987pF @ 300V
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694W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie PG-HDSOP-22-1 22-PowerBSOP Module
IPDQ60R010S7XTMA1 Datasheet Photo Not Available 448-IPDQ60R010S7XTMA1DKR-ND IPDQ60R010S7XTMA1 Infineon Technologies HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22 0 Disponible: 0
Plazo estándar 26 semanas
Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Mínimo: 1 Digi-Reel®
Embalaje alternativo
CoolMOS™ Activo Canal N MOSFET (óxido de metal) 600V 50 A (Tc) 12V 10mOhm @ 50A, 12V 4.5V @ 3.08mA 318nC @ 12V ±20V 11987pF @ 300V
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694W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie PG-HDSOP-22-1 22-PowerBSOP Module
IPDQ60R010S7AXTMA1 Datasheet Photo Not Available 448-IPDQ60R010S7AXTMA1TR-ND IPDQ60R010S7AXTMA1 Infineon Technologies AUTOMOTIVE PG-HDSOP-22 0 Disponible: 0
Plazo estándar 26 semanas
20,01579 € 750 Mínimo: 750 Cinta y rollo (TR)
Embalaje alternativo
Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ Activo Canal N MOSFET (óxido de metal) 600V 50 A (Tc) 12V 10mOhm @ 50A, 12V 4.5V @ 3.08mA 318nC @ 12V ±20V 11987pF @ 300V
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694W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie PG-HDSOP-22-1 22-PowerBSOP Module
IPDQ60R010S7AXTMA1 Datasheet Photo Not Available 448-IPDQ60R010S7AXTMA1CT-ND IPDQ60R010S7AXTMA1 Infineon Technologies AUTOMOTIVE PG-HDSOP-22 0 Disponible: 0
Plazo estándar 26 semanas
25,39000 € 1 Mínimo: 1 Cinta cortada (CT)
Embalaje alternativo
Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ Activo Canal N MOSFET (óxido de metal) 600V 50 A (Tc) 12V 10mOhm @ 50A, 12V 4.5V @ 3.08mA 318nC @ 12V ±20V 11987pF @ 300V
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694W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie PG-HDSOP-22-1 22-PowerBSOP Module
IPDQ60R010S7AXTMA1 Datasheet Photo Not Available 448-IPDQ60R010S7AXTMA1DKR-ND IPDQ60R010S7AXTMA1 Infineon Technologies AUTOMOTIVE PG-HDSOP-22 0 Disponible: 0
Plazo estándar 26 semanas
Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Mínimo: 1 Digi-Reel®
Embalaje alternativo
Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ Activo Canal N MOSFET (óxido de metal) 600V 50 A (Tc) 12V 10mOhm @ 50A, 12V 4.5V @ 3.08mA 318nC @ 12V ±20V 11987pF @ 300V
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694W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie PG-HDSOP-22-1 22-PowerBSOP Module
IPS70R1K4CEAKMA1 Datasheet IPS70R1K4CEAKMA1 - Infineon Technologies IPS70R1K4CEAKMA1-ND IPS70R1K4CEAKMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 700V 5.4A TO251 0 Disponible: 0
Plazo estándar 26 semanas
0,24412 € 1.500
Agotado
Mínimo: 1.500
Tubo CoolMOS™ Activo Canal N MOSFET (óxido de metal) 700V 5.4 A (Tc) 10V 1.4Ohm a 1A, 10V 3.5V a 100µA 10,5nC @ 10V ±20V 225pF @ 100V Súper empalme 53W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie PG-TO251 TO-251-3, conductores de tope, IPak
IPS70R600CEAKMA1 Datasheet IPS70R600CEAKMA1 - Infineon Technologies IPS70R600CEAKMA1-ND IPS70R600CEAKMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 700V 10.5A TO251-3 0 Disponible: 0
Discontinuo en Digi-Key
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Tubo CoolMOS™ Discontinuo en Digi-Key Canal N MOSFET (óxido de metal) 700V 10.5 A (Tc) 10V 600mOhm a 1A, 10V 3.5V a 0.21mA 22nC @ 10V ±20V 474pF @ 100V Súper empalme 86W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) Orificio pasante PG-TO251-3 TO-251-3, conductores de tope, IPak
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