Índice de productos > Circuitos integrados > PMIC - controladores de compuerta

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FabricanteEmpaquetadoSerieEstado de la piezaConfiguración dirigidaTipo de canalCantidad de controladoresTipo de compuertaVoltaje de la fuenteVoltaje lógico - VIL, VIHCorriente - salida pico (fuente, disipación)Tipo de entradaVoltaje de polo vivo (nivel alto) - Máx. (en arranque)Tiempo de subida/bajadaTemperatura de operaciónTipo de montajePaquete / Caja (carcasa)Paquete del dispositivo del proveedor
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Comparar piezas Datasheets Imagen Número de pieza de Digi-Key Número de pieza del fabricante Fabricante Descripción Cantidad disponible
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Empaquetado Serie Estado de la pieza Configuración dirigida Tipo de canal Cantidad de controladores Tipo de compuerta Voltaje de la fuente Voltaje lógico - VIL, VIH Corriente - salida pico (fuente, disipación) Tipo de entrada Voltaje de polo vivo (nivel alto) - Máx. (en arranque) Tiempo de subida/bajada Temperatura de operación Tipo de montaje Paquete / Caja (carcasa) Paquete del dispositivo del proveedor
   
NCP3420DR2G Datasheet NCP3420DR2G - ON Semiconductor NCP3420DR2GOSTR-ND IC MOSFET DRIVER DUAL 12V 8-SOIC 27.500 - Inmediata
0,18528 € 2.500 Cinta y rollo (TR)?
Embalaje alternativo
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Activo Medio puente Sincrónico 2 MOSFET de canal N 4.6 V ~ 13.2 V 0.8 V, 2 V
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No inversor 35V 16 ns, 11 ns 0 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm) 8-SOIC
NCP3420DR2G Datasheet NCP3420DR2G - ON Semiconductor NCP3420DR2GOSCT-ND IC MOSFET DRIVER DUAL 12V 8-SOIC 29.114 - Inmediata
0,54000 € 1 Cinta cortada (CT)?
Embalaje alternativo
-
Activo Medio puente Sincrónico 2 MOSFET de canal N 4.6 V ~ 13.2 V 0.8 V, 2 V
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No inversor 35V 16 ns, 11 ns 0 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm) 8-SOIC
NCP3420DR2G Datasheet NCP3420DR2G - ON Semiconductor NCP3420DR2GOSDKR-ND IC MOSFET DRIVER DUAL 12V 8-SOIC 29.114 - Inmediata
Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Digi-Reel®?
Embalaje alternativo
-
Activo Medio puente Sincrónico 2 MOSFET de canal N 4.6 V ~ 13.2 V 0.8 V, 2 V
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No inversor 35V 16 ns, 11 ns 0 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm) 8-SOIC
ZXGD3003E6TA Datasheet ZXGD3003E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3003E6TR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 12.000 - Inmediata
0,19313 € 3.000 Cinta y rollo (TR)?
Embalaje alternativo
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Activo Nivel bajo Simple 1 IGBT, MOSFET de canal N 40 V (máx.)
-
5 A, 5 A No inversor
-
8.9 ns, 8.9 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3003E6TA Datasheet ZXGD3003E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3003E6CT-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 17.580 - Inmediata
0,51000 € 1 Cinta cortada (CT)?
Embalaje alternativo
-
Activo Nivel bajo Simple 1 IGBT, MOSFET de canal N 40 V (máx.)
-
5 A, 5 A No inversor
-
8.9 ns, 8.9 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3003E6TA Datasheet ZXGD3003E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3003E6DKR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 17.580 - Inmediata
Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Digi-Reel®?
Embalaje alternativo
-
Activo Nivel bajo Simple 1 IGBT, MOSFET de canal N 40 V (máx.)
-
5 A, 5 A No inversor
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8.9 ns, 8.9 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3006E6QTA Datasheet ZXGD3006E6QTA - Diodes Incorporated ZXGD3006E6QTADITR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 9.000 - Inmediata
0,22284 € 3.000 Cinta y rollo (TR)?
Embalaje alternativo
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Activo Nivel bajo Simple 1 IGBT, MOSFET SiC 40 V (máx.)
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10 A, 10 A No inversor
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48 ns, 35 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3006E6QTA Datasheet ZXGD3006E6QTA - Diodes Incorporated ZXGD3006E6QTADICT-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 12.037 - Inmediata
0,60000 € 1 Cinta cortada (CT)?
Embalaje alternativo
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Activo Nivel bajo Simple 1 IGBT, MOSFET SiC 40 V (máx.)
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10 A, 10 A No inversor
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48 ns, 35 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3006E6QTA Datasheet ZXGD3006E6QTA - Diodes Incorporated ZXGD3006E6QTADIDKR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 12.037 - Inmediata
Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Digi-Reel®?
Embalaje alternativo
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Activo Nivel bajo Simple 1 IGBT, MOSFET SiC 40 V (máx.)
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10 A, 10 A No inversor
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48 ns, 35 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 SOT-26
FAN3100CSX Datasheet FAN3100CSX - ON Semiconductor FAN3100CSXTR-ND IC GATE DRVR SGL CMOS 2A SOT23-5 9.000 - Inmediata
0,29883 € 3.000 Cinta y rollo (TR)?
Embalaje alternativo
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Activo Nivel bajo Simple 1 MOSFET de canal N 4.5 V ~ 18 V
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3 A, 3 A Inversión, No inversor
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13 ns, 9 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje en superficie SC-74A, SOT-753 SOT-23-5
FAN3100CSX Datasheet FAN3100CSX - ON Semiconductor FAN3100CSXCT-ND IC GATE DRVR SGL CMOS 2A SOT23-5 10.149 - Inmediata
0,73000 € 1 Cinta cortada (CT)?
Embalaje alternativo
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Activo Nivel bajo Simple 1 MOSFET de canal N 4.5 V ~ 18 V
-
3 A, 3 A Inversión, No inversor
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13 ns, 9 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje en superficie SC-74A, SOT-753 SOT-23-5
FAN3100CSX Datasheet FAN3100CSX - ON Semiconductor FAN3100CSXDKR-ND IC GATE DRVR SGL CMOS 2A SOT23-5 10.149 - Inmediata
Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Digi-Reel®?
Embalaje alternativo
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Activo Nivel bajo Simple 1 MOSFET de canal N 4.5 V ~ 18 V
-
3 A, 3 A Inversión, No inversor
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13 ns, 9 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje en superficie SC-74A, SOT-753 SOT-23-5
IX4427MTR Datasheet IX4427MTR - IXYS Integrated Circuits Division CLA4151TR-ND IC MOSFET DVR NONINV 1.5A 8-DFN 76.000 - Inmediata
0,34665 € 2.000 Cinta y rollo (TR)?
Embalaje alternativo
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Activo Nivel bajo Independiente 2 MOSFET de canal N, canal P 4.5 V ~ 30 V 0.8 V, 2.4 V 1.5 A, 1.5 A No inversor
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10 ns, 8 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje en superficie Placa descubierta 8-VDFN 8-DFN (3x3)
IX4427MTR Datasheet IX4427MTR - IXYS Integrated Circuits Division CLA4151CT-ND IC MOSFET DVR NONINV 1.5A 8-DFN 77.910 - Inmediata
0,90000 € 1 Cinta cortada (CT)?
Embalaje alternativo
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Activo Nivel bajo Independiente 2 MOSFET de canal N, canal P 4.5 V ~ 30 V 0.8 V, 2.4 V 1.5 A, 1.5 A No inversor
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10 ns, 8 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje en superficie Placa descubierta 8-VDFN 8-DFN (3x3)
IX4427MTR Datasheet IX4427MTR - IXYS Integrated Circuits Division CLA4151DKR-ND IC MOSFET DVR NONINV 1.5A 8-DFN 77.910 - Inmediata
Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Digi-Reel®?
Embalaje alternativo
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Activo Nivel bajo Independiente 2 MOSFET de canal N, canal P 4.5 V ~ 30 V 0.8 V, 2.4 V 1.5 A, 1.5 A No inversor
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10 ns, 8 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje en superficie Placa descubierta 8-VDFN 8-DFN (3x3)
IX4427NTR Datasheet IX4427NTR - IXYS Integrated Circuits Division CLA4146TR-ND IC MOSFET DRIVER 1.5A 8SOIC 10.000 - Inmediata
0,34665 € 2.000 Cinta y rollo (TR)?
Embalaje alternativo
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Activo Nivel bajo Independiente 2 MOSFET de canal N, canal P 4.5 V ~ 30 V 0.8 V, 2.4 V 1.5 A, 1.5 A No inversor
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10 ns, 8 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm) 8-SOIC
IX4427NTR Datasheet IX4427NTR - IXYS Integrated Circuits Division CLA4146CT-ND IC MOSFET DRIVER 1.5A 8SOIC 11.499 - Inmediata
0,90000 € 1 Cinta cortada (CT)?
Embalaje alternativo
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Activo Nivel bajo Independiente 2 MOSFET de canal N, canal P 4.5 V ~ 30 V 0.8 V, 2.4 V 1.5 A, 1.5 A No inversor
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10 ns, 8 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm) 8-SOIC
IX4427NTR Datasheet IX4427NTR - IXYS Integrated Circuits Division CLA4146DKR-ND IC MOSFET DRIVER 1.5A 8SOIC 11.499 - Inmediata
Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Digi-Reel®?
Embalaje alternativo
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Activo Nivel bajo Independiente 2 MOSFET de canal N, canal P 4.5 V ~ 30 V 0.8 V, 2.4 V 1.5 A, 1.5 A No inversor
-
10 ns, 8 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm) 8-SOIC
IX4428MTR Datasheet IX4428MTR - IXYS Integrated Circuits Division CLA4152TR-ND IC MOSFET DVR INV/NON 1.5A 8-DFN 6.000 - Inmediata
0,34665 € 2.000 Cinta y rollo (TR)?
Embalaje alternativo
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Activo Nivel bajo Independiente 2 MOSFET de canal N, canal P 4.5 V ~ 30 V 0.8 V, 2.4 V 1.5 A, 1.5 A Inversión, No inversor
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10 ns, 8 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje en superficie Placa descubierta 8-VDFN 8-DFN (3x3)
IX4428MTR Datasheet IX4428MTR - IXYS Integrated Circuits Division CLA4152CT-ND IC MOSFET DVR INV/NON 1.5A 8-DFN 7.421 - Inmediata
0,90000 € 1 Cinta cortada (CT)?
Embalaje alternativo
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Activo Nivel bajo Independiente 2 MOSFET de canal N, canal P 4.5 V ~ 30 V 0.8 V, 2.4 V 1.5 A, 1.5 A Inversión, No inversor
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10 ns, 8 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje en superficie Placa descubierta 8-VDFN 8-DFN (3x3)
IX4428MTR Datasheet IX4428MTR - IXYS Integrated Circuits Division CLA4152DKR-ND IC MOSFET DVR INV/NON 1.5A 8-DFN 7.421 - Inmediata
Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Digi-Reel®?
Embalaje alternativo
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Activo Nivel bajo Independiente 2 MOSFET de canal N, canal P 4.5 V ~ 30 V 0.8 V, 2.4 V 1.5 A, 1.5 A Inversión, No inversor
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10 ns, 8 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje en superficie Placa descubierta 8-VDFN 8-DFN (3x3)
IRS2004STRPBF Datasheet IRS2004STRPBF - Infineon Technologies IRS2004STRPBFTR-ND IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-SOIC 5.000 - Inmediata
0,37615 € 2.500 Cinta y rollo (TR)?
Embalaje alternativo
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Activo Medio puente Sincrónico 2 IGBT, MOSFET de canal N 10 V ~ 20 V 0.8 V, 2.5 V 290 mA, 600 mA No inversor 200V 70 ns, 35 ns -40 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm) 8-SOIC
IRS2004STRPBF Datasheet IRS2004STRPBF - Infineon Technologies IRS2004STRPBFCT-ND IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-SOIC 8.014 - Inmediata
0,91000 € 1 Cinta cortada (CT)?
Embalaje alternativo
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Activo Medio puente Sincrónico 2 IGBT, MOSFET de canal N 10 V ~ 20 V 0.8 V, 2.5 V 290 mA, 600 mA No inversor 200V 70 ns, 35 ns -40 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm) 8-SOIC
IRS2004STRPBF Datasheet IRS2004STRPBF - Infineon Technologies IRS2004STRPBFDKR-ND IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-SOIC 8.014 - Inmediata
Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Digi-Reel®?
Embalaje alternativo
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Activo Medio puente Sincrónico 2 IGBT, MOSFET de canal N 10 V ~ 20 V 0.8 V, 2.5 V 290 mA, 600 mA No inversor 200V 70 ns, 35 ns -40 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm) 8-SOIC
NCP5104DR2G Datasheet NCP5104DR2G - ON Semiconductor NCP5104DR2GOSTR-ND IC DRIVER HALF BRIDGE HV 8-SOIC 0
Plazo estándar 26 semanas
0,38250 € 2.500 Cinta y rollo (TR)?
Embalaje alternativo
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Activo Medio puente Sincrónico 2 IGBT, MOSFET de canal N 10 V ~ 20 V 0.8 V, 2.3 V 250 mA, 500 mA No inversor 600V 85 ns, 35 ns -40 °C ~ 125 °C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm) 8-SOIC
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