Índice de productos > Circuitos integrados > PMIC - controladores de compuerta

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FabricanteEmpaquetadoSerieEstado de la piezaConfiguración dirigidaTipo de canalCantidad de controladoresTipo de compuertaVoltaje de la fuenteVoltaje lógico - VIL, VIHCorriente - salida pico (fuente, disipación)Tipo de entradaVoltaje de polo vivo (nivel alto) - Máx. (en arranque)Tiempo de subida/bajadaTemperatura de operaciónTipo de montajePaquete / Caja (carcasa)Paquete del dispositivo del proveedor
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Empaquetado Serie Estado de la pieza Configuración dirigida Tipo de canal Cantidad de controladores Tipo de compuerta Voltaje de la fuente Voltaje lógico - VIL, VIH Corriente - salida pico (fuente, disipación) Tipo de entrada Voltaje de polo vivo (nivel alto) - Máx. (en arranque) Tiempo de subida/bajada Temperatura de operación Tipo de montaje Paquete / Caja (carcasa) Paquete del dispositivo del proveedor
   
NCP3420DR2G Datasheet NCP3420DR2G - ON Semiconductor NCP3420DR2GOSTR-ND IC MOSFET DRIVER DUAL 12V 8-SOIC 32.500 - Inmediata
0,17822 € 2.500 Cinta y rollo (TR)?
Embalaje alternativo
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Activo Medio puente Sincrónico 2 MOSFET de canal N 4.6 V ~ 13.2 V 0.8 V, 2 V
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No inversor 35V 16 ns, 11 ns 0 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm) 8-SOIC
NCP3420DR2G Datasheet NCP3420DR2G - ON Semiconductor NCP3420DR2GOSCT-ND IC MOSFET DRIVER DUAL 12V 8-SOIC 34.391 - Inmediata
0,52000 € 1 Cinta cortada (CT)?
Embalaje alternativo
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Activo Medio puente Sincrónico 2 MOSFET de canal N 4.6 V ~ 13.2 V 0.8 V, 2 V
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No inversor 35V 16 ns, 11 ns 0 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm) 8-SOIC
NCP3420DR2G Datasheet NCP3420DR2G - ON Semiconductor NCP3420DR2GOSDKR-ND IC MOSFET DRIVER DUAL 12V 8-SOIC 34.391 - Inmediata
Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Digi-Reel®?
Embalaje alternativo
-
Activo Medio puente Sincrónico 2 MOSFET de canal N 4.6 V ~ 13.2 V 0.8 V, 2 V
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No inversor 35V 16 ns, 11 ns 0 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm) 8-SOIC
ZXGD3006E6QTA Datasheet ZXGD3006E6QTA - Diodes Incorporated ZXGD3006E6QTADITR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 3.000 - Inmediata
0,21436 € 3.000 Cinta y rollo (TR)?
Embalaje alternativo
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Activo Nivel bajo Simple 1 IGBT, MOSFET SiC 40 V (máx.)
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10 A, 10 A No inversor
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48 ns, 35 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3006E6QTA Datasheet ZXGD3006E6QTA - Diodes Incorporated ZXGD3006E6QTADICT-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 5.784 - Inmediata
0,57000 € 1 Cinta cortada (CT)?
Embalaje alternativo
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Activo Nivel bajo Simple 1 IGBT, MOSFET SiC 40 V (máx.)
-
10 A, 10 A No inversor
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48 ns, 35 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3006E6QTA Datasheet ZXGD3006E6QTA - Diodes Incorporated ZXGD3006E6QTADIDKR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 5.784 - Inmediata
Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Digi-Reel®?
Embalaje alternativo
-
Activo Nivel bajo Simple 1 IGBT, MOSFET SiC 40 V (máx.)
-
10 A, 10 A No inversor
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48 ns, 35 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 SOT-26
IX4427MTR Datasheet IX4427MTR - IXYS Integrated Circuits Division CLA4151TR-ND IC MOSFET DVR NONINV 1.5A 8-DFN 20.000 - Inmediata
0,33345 € 2.000 Cinta y rollo (TR)?
Embalaje alternativo
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Activo Nivel bajo Independiente 2 MOSFET de canal N, canal P 4.5 V ~ 30 V 0.8 V, 2.4 V 1.5 A, 1.5 A No inversor
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10 ns, 8 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje en superficie Placa descubierta 8-VDFN 8-DFN (3x3)
IX4427MTR Datasheet IX4427MTR - IXYS Integrated Circuits Division CLA4151CT-ND IC MOSFET DVR NONINV 1.5A 8-DFN 20.459 - Inmediata
0,86000 € 1 Cinta cortada (CT)?
Embalaje alternativo
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Activo Nivel bajo Independiente 2 MOSFET de canal N, canal P 4.5 V ~ 30 V 0.8 V, 2.4 V 1.5 A, 1.5 A No inversor
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10 ns, 8 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje en superficie Placa descubierta 8-VDFN 8-DFN (3x3)
IX4427MTR Datasheet IX4427MTR - IXYS Integrated Circuits Division CLA4151DKR-ND IC MOSFET DVR NONINV 1.5A 8-DFN 20.459 - Inmediata
Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Digi-Reel®?
Embalaje alternativo
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Activo Nivel bajo Independiente 2 MOSFET de canal N, canal P 4.5 V ~ 30 V 0.8 V, 2.4 V 1.5 A, 1.5 A No inversor
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10 ns, 8 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje en superficie Placa descubierta 8-VDFN 8-DFN (3x3)
IX4427NTR Datasheet IX4427NTR - IXYS Integrated Circuits Division CLA4146TR-ND IC MOSFET DRIVER 1.5A 8SOIC 10.000 - Inmediata
0,33345 € 2.000 Cinta y rollo (TR)?
Embalaje alternativo
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Activo Nivel bajo Independiente 2 MOSFET de canal N, canal P 4.5 V ~ 30 V 0.8 V, 2.4 V 1.5 A, 1.5 A No inversor
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10 ns, 8 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm) 8-SOIC
IX4427NTR Datasheet IX4427NTR - IXYS Integrated Circuits Division CLA4146CT-ND IC MOSFET DRIVER 1.5A 8SOIC 10.031 - Inmediata
0,86000 € 1 Cinta cortada (CT)?
Embalaje alternativo
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Activo Nivel bajo Independiente 2 MOSFET de canal N, canal P 4.5 V ~ 30 V 0.8 V, 2.4 V 1.5 A, 1.5 A No inversor
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10 ns, 8 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm) 8-SOIC
IX4427NTR Datasheet IX4427NTR - IXYS Integrated Circuits Division CLA4146DKR-ND IC MOSFET DRIVER 1.5A 8SOIC 10.031 - Inmediata
Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Digi-Reel®?
Embalaje alternativo
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Activo Nivel bajo Independiente 2 MOSFET de canal N, canal P 4.5 V ~ 30 V 0.8 V, 2.4 V 1.5 A, 1.5 A No inversor
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10 ns, 8 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm) 8-SOIC
IX4428MTR Datasheet IX4428MTR - IXYS Integrated Circuits Division CLA4152TR-ND IC MOSFET DVR INV/NON 1.5A 8-DFN 8.000 - Inmediata
0,33345 € 2.000 Cinta y rollo (TR)?
Embalaje alternativo
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Activo Nivel bajo Independiente 2 MOSFET de canal N, canal P 4.5 V ~ 30 V 0.8 V, 2.4 V 1.5 A, 1.5 A Inversión, No inversor
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10 ns, 8 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje en superficie Placa descubierta 8-VDFN 8-DFN (3x3)
IX4428MTR Datasheet IX4428MTR - IXYS Integrated Circuits Division CLA4152CT-ND IC MOSFET DVR INV/NON 1.5A 8-DFN 9.436 - Inmediata
0,86000 € 1 Cinta cortada (CT)?
Embalaje alternativo
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Activo Nivel bajo Independiente 2 MOSFET de canal N, canal P 4.5 V ~ 30 V 0.8 V, 2.4 V 1.5 A, 1.5 A Inversión, No inversor
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10 ns, 8 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje en superficie Placa descubierta 8-VDFN 8-DFN (3x3)
IX4428MTR Datasheet IX4428MTR - IXYS Integrated Circuits Division CLA4152DKR-ND IC MOSFET DVR INV/NON 1.5A 8-DFN 9.436 - Inmediata
Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Digi-Reel®?
Embalaje alternativo
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Activo Nivel bajo Independiente 2 MOSFET de canal N, canal P 4.5 V ~ 30 V 0.8 V, 2.4 V 1.5 A, 1.5 A Inversión, No inversor
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10 ns, 8 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje en superficie Placa descubierta 8-VDFN 8-DFN (3x3)
MCP1401T-E/OT Datasheet MCP1401T-E/OT - Microchip Technology MCP1401T-E/OTTR-ND IC MOSFET DRVR INV 500MA SOT23-5 6.000 - Inmediata
0,39759 € 3.000 Cinta y rollo (TR)?
Embalaje alternativo
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Activo Nivel bajo Simple 1 IGBT, MOSFET de canal N, canal P 4.5 V ~ 18 V 0.8 V, 2.4 V 500 mA, 500 mA Inversión
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19 ns, 15 ns -40 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje en superficie SC-74A, SOT-753 SOT-23-5
MCP1401T-E/OT Datasheet MCP1401T-E/OT - Microchip Technology MCP1401T-E/OTCT-ND IC MOSFET DRVR INV 500MA SOT23-5 7.610 - Inmediata
0,53000 € 1 Cinta cortada (CT)?
Embalaje alternativo
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Activo Nivel bajo Simple 1 IGBT, MOSFET de canal N, canal P 4.5 V ~ 18 V 0.8 V, 2.4 V 500 mA, 500 mA Inversión
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19 ns, 15 ns -40 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje en superficie SC-74A, SOT-753 SOT-23-5
MCP1401T-E/OT Datasheet MCP1401T-E/OT - Microchip Technology MCP1401T-E/OTDKR-ND IC MOSFET DRVR INV 500MA SOT23-5 7.610 - Inmediata
Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Digi-Reel®?
Embalaje alternativo
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Activo Nivel bajo Simple 1 IGBT, MOSFET de canal N, canal P 4.5 V ~ 18 V 0.8 V, 2.4 V 500 mA, 500 mA Inversión
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19 ns, 15 ns -40 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje en superficie SC-74A, SOT-753 SOT-23-5
NCP5106BDR2G Datasheet NCP5106BDR2G - ON Semiconductor NCP5106BDR2GOSTR-ND IC DRIVER HI/LO 600V 8-SOIC 7.500 - Inmediata
0,40474 € 2.500 Cinta y rollo (TR)?
Embalaje alternativo
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Activo Medio puente Independiente 2 IGBT, MOSFET de canal N 10 V ~ 20 V 0.8 V, 2.3 V 250 mA, 500 mA No inversor 600V 85 ns, 35 ns -40 °C ~ 125 °C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm) 8-SOIC
NCP5106BDR2G Datasheet NCP5106BDR2G - ON Semiconductor NCP5106BDR2GOSCT-ND IC DRIVER HI/LO 600V 8-SOIC 8.791 - Inmediata
0,99000 € 1 Cinta cortada (CT)?
Embalaje alternativo
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Activo Medio puente Independiente 2 IGBT, MOSFET de canal N 10 V ~ 20 V 0.8 V, 2.3 V 250 mA, 500 mA No inversor 600V 85 ns, 35 ns -40 °C ~ 125 °C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm) 8-SOIC
NCP5106BDR2G Datasheet NCP5106BDR2G - ON Semiconductor NCP5106BDR2GOSDKR-ND IC DRIVER HI/LO 600V 8-SOIC 8.791 - Inmediata
Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Digi-Reel®?
Embalaje alternativo
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Activo Medio puente Independiente 2 IGBT, MOSFET de canal N 10 V ~ 20 V 0.8 V, 2.3 V 250 mA, 500 mA No inversor 600V 85 ns, 35 ns -40 °C ~ 125 °C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm) 8-SOIC
MCP1416T-E/OT Datasheet MCP1416T-E/OT - Microchip Technology MCP1416T-E/OTTR-ND IC MOSFET DVR 1.5A HS SOT23-5 24.000 - Inmediata
0,41451 € 3.000 Cinta y rollo (TR)?
Embalaje alternativo
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Activo Nivel bajo Simple 1 IGBT, MOSFET de canal N, canal P 4.5 V ~ 18 V 0.8 V, 2.4 V 1.5 A, 1.5 A No inversor
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20 ns, 20 ns -40 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje en superficie SC-74A, SOT-753 SOT-23-5
MCP1416T-E/OT Datasheet MCP1416T-E/OT - Microchip Technology MCP1416T-E/OTCT-ND IC MOSFET DVR 1.5A HS SOT23-5 26.562 - Inmediata
0,55000 € 1 Cinta cortada (CT)?
Embalaje alternativo
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Activo Nivel bajo Simple 1 IGBT, MOSFET de canal N, canal P 4.5 V ~ 18 V 0.8 V, 2.4 V 1.5 A, 1.5 A No inversor
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20 ns, 20 ns -40 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje en superficie SC-74A, SOT-753 SOT-23-5
MCP1416T-E/OT Datasheet MCP1416T-E/OT - Microchip Technology MCP1416T-E/OTDKR-ND IC MOSFET DVR 1.5A HS SOT23-5 26.562 - Inmediata
Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Digi-Reel®?
Embalaje alternativo
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Activo Nivel bajo Simple 1 IGBT, MOSFET de canal N, canal P 4.5 V ~ 18 V 0.8 V, 2.4 V 1.5 A, 1.5 A No inversor
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20 ns, 20 ns -40 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje en superficie SC-74A, SOT-753 SOT-23-5
LM5109AMAX/NOPB Datasheet LM5109AMAX/NOPB - Texas Instruments LM5109AMAX/NOPBTR-ND IC DVR HALF-BRIDGE 100V 1A 8SOIC 37.500 - Inmediata
0,45172 € 2.500 Cinta y rollo (TR)?
Embalaje alternativo
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Activo Medio puente Independiente 2 MOSFET de canal N 8 V ~ 14 V 0.8 V, 2.2 V 1 A, 1 A No inversor 108V 15 ns, 15 ns -40 °C ~ 125 °C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm) 8-SOIC
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