Índice de productos > Productos semiconductores discretos > Transistores - IGBT - Módulos

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Comparar piezas Datasheets Imagen Número de pieza de Digi-Key Número de pieza del fabricante Fabricante Descripción Cantidad disponible
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Serie Estado de la pieza Tipo IGBT Configuración Voltaje de interrupción - Colector-emisor (máx.) Corriente de colector (Ic) máx. Potencia máxima Vce (encendido) (máx.) a Vge, Ic Corriente de corte del colector (máx.) Capacitancia de entrada (Cies) a Vce Entrada Termistor NTC Temperatura de operación Tipo de montaje Paquete / Caja (carcasa) Paquete del dispositivo del proveedor
   
IXXN110N65C4H1 Datasheet IXXN110N65C4H1 - IXYS IXXN110N65C4H1-ND IGBT 650V 210A 750W SOT227B 590 - Inmediata Disponible: 590 20,77000 € 1 Mínimo: 1 GenX4™, XPT™ Activo PT Simple 650V 210A 750W 2.35 V a 15 V, 110 A 50µA 3,69nF @ 25V Estándar No -55 °C ~ 175 °C (TJ) Montaje de chasis SOT-227-4, miniBLOC SOT-227B
IXXN110N65B4H1 Datasheet IXXN110N65B4H1 - IXYS IXXN110N65B4H1-ND IGBT 650V 215A 750W SOT227B 117 - Inmediata Disponible: 117 20,77000 € 1 Mínimo: 1 GenX4™, XPT™ Activo PT Simple 650V 215A 750W 2.1 V a 15 V, 110 A 50µA 3,65nF @ 25V Estándar No -55 °C ~ 175 °C (TJ) Montaje de chasis SOT-227-4, miniBLOC SOT-227B
APT75GP120JDQ3 Datasheet APT75GP120JDQ3 - Microsemi Corporation APT75GP120JDQ3-ND IGBT 1200V 128A 543W SOT227 623 - Inmediata Disponible: 623 38,78000 € 1 Mínimo: 1 POWER MOS 7® Activo PT Simple 1200V 128A 543W 3.9 V a 15 V, 75 A 1,25mA 7,04nF @ 25V Estándar No -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje de chasis ISOTOP ISOTOP®
VS-CPV364M4FPBF Datasheet VS-CPV364M4FPBF - Vishay Semiconductor Diodes Division VS-CPV364M4FPBF-ND MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP 250 - Inmediata Disponible: 250 39,13000 € 1 Mínimo: 1
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Activo
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600V 27A 63W 1.5 V a 15 V, 15 A 250µA 2,2nF @ 30V Estándar No -40 °C ~ 150 °C (TJ) Orificio pasante 19-SIP (13 conductores), IMS-2 IMS-2
FF300R12KT4HOSA1 Datasheet FF300R12KT4HOSA1 - Infineon Technologies FF300R12KT4HOSA1-ND IGBT MODULE 1200V 300A 83 - Inmediata Disponible: 83 111,72000 € 1 Mínimo: 1 C Activo Parada de campo de trinchera Medio puente 1200V 450A 1600W 2.15 V a 15 V, 300 A 5mA 19nF @ 25V Estándar No -40 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje de chasis Módulo Módulo
FF200R17KE3HOSA1 Datasheet FF200R17KE3HOSA1 - Infineon Technologies FF200R17KE3HOSA1-ND IGBT MODULE 1700V 200A 134 - Inmediata Disponible: 134 121,39000 € 1 Mínimo: 1 C Activo Parada de campo de trinchera Medio puente 1700V 310A 1250W 2.45 V a 15 V, 200 A 3mA 18nF @ 25V Estándar No -40 °C ~ 125 °C (TJ) Montaje de chasis Módulo Módulo
FF450R12KT4HOSA1 Datasheet Photo Not Available FF450R12KT4HOSA1-ND IGBT MODULE 1200V 450A 41 - Inmediata Disponible: 41 141,58000 € 1 Mínimo: 1 C Activo Parada de campo de trinchera Medio puente 1200V 580A 2400W 2.15 V a 15 V, 450 A 5mA 28nF @ 25V Estándar No -40 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje de chasis Módulo Módulo
IXYN100N65C3H1 Datasheet IXYN100N65C3H1 - IXYS IXYN100N65C3H1-ND IGBT XPT 650V 166A SOT-227B 1.600 - Inmediata Disponible: 1.600 21,90000 € 1 Mínimo: 1 GenX3™, XPT™ Activo PT Simple 650V 166A 600W 2.3 V a 15 V, 70 A 50µA 4,98nF @ 25V Estándar No -55 °C ~ 175 °C (TJ) Chasis, montaje con perno SOT-227-4, miniBLOC SOT-227B
IXGN320N60A3 Datasheet IXGN320N60A3 - IXYS IXGN320N60A3-ND IGBT 600V SOT-227B 172 - Inmediata Disponible: 172 24,42000 € 1 Mínimo: 1 GenX3™ Activo PT Simple 600V 320A 735W 1.25 V a 15 V, 100 A 150µA 18nF @ 25V Estándar No -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje de chasis SOT-227-4, miniBLOC SOT-227B
IXGN120N60A3D1 Datasheet IXGN120N60A3D1 - IXYS IXGN120N60A3D1-ND IGBT 200A 600V SOT-227B 143 - Inmediata Disponible: 143 25,60000 € 1 Mínimo: 1 GenX3™ Activo PT Simple 600V 200A 595W 1.35 V a 15 V, 100 A 650µA 14,8nF @ 25V Estándar No -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje de chasis SOT-227-4, miniBLOC SOT-227B
FS30R06W1E3BOMA1 Datasheet FS30R06W1E3BOMA1 - Infineon Technologies FS30R06W1E3BOMA1-ND IGBT MODULE 600V 30A 164 - Inmediata Disponible: 164 26,57000 € 1 Mínimo: 1
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Activo Parada de campo de trinchera Inversor trifásico 600V 60A 150W 2 V a 15 V, 30 A 1mA 1,65nF @ 25V Estándar -40 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje de chasis Módulo Módulo
APT200GN60J Datasheet APT200GN60J - Microsemi Corporation APT200GN60J-ND IGBT 600V 283A 682W SOT227 146 - Inmediata Disponible: 146 29,69000 € 1 Mínimo: 1
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Activo Parada de campo de trinchera Simple 600V 283A 682W 1.85 V a 15 V, 200 A 25µA 14,1nF @ 25V Estándar No -55 °C ~ 175 °C (TJ) Montaje de chasis ISOTOP ISOTOP®
IXYN82N120C3H1 Datasheet IXYN82N120C3H1 - IXYS IXYN82N120C3H1-ND IGBT MODULE 1200V 105A SOT227B 126 - Inmediata Disponible: 126 33,02000 € 1 Mínimo: 1 XPT™, GenX3™ Activo
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Simple 1200V 105A 500W 3.2 V a 15 V, 82 A 50µA 4060pF @ 25V Estándar No -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje de chasis SOT-227-4, miniBLOC SOT-227B
VS-CPV364M4KPBF Datasheet VS-CPV364M4KPBF - Vishay Semiconductor Diodes Division CPV364M4KPBF-ND IGBT SIP MODULE 600V 13A IMS-2 157 - Inmediata Disponible: 157 41,19000 € 1 Mínimo: 1
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Activo
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Inversor trifásico 600V 24A 63W 1.8 V a 15 V, 24 A 250µA 1,6nF @ 30V Estándar No -55 °C ~ 150 °C (TJ) Orificio pasante 19-SIP (13 conductores), IMS-2 IMS-2
MG1250S-BA1MM Datasheet MG1250S-BA1MM - Littelfuse Inc. F6494-ND IGBT 1200V 80A 500W PKG S 103 - Inmediata Disponible: 103 50,18000 € 1 Mínimo: 1
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Activo
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Medio puente 1200V 80A 500W 1.8 V a 15 V, 50 A (típico) 500µA 4,29nF @ 25V Estándar No -40 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje de chasis Módulo S-3 S3
VS-50MT060WHTAPBF Datasheet VS-50MT060WHTAPBF - Vishay Semiconductor Diodes Division VS-50MT060WHTAPBF-ND IGBT 600V 114A 658W MTP 218 - Inmediata Disponible: 218 52,70000 € 1 Mínimo: 1
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Activo
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Medio puente 600V 114A 658W 3.2 V a 15 V, 100 A 400µA 7,1nF @ 30V Estándar No -40 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje de chasis Módulo 12-MTP MTP
FS75R12KT4B15BOSA1 Datasheet FS75R12KT4B15BOSA1 - Infineon Technologies FS75R12KT4B15BOSA1-ND IGBT MODULE 1200V 75A 27 - Inmediata Disponible: 27 95,45000 € 1 Mínimo: 1
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Activo Parada de campo de trinchera Inversor trifásico 1200V 75A 385W 2.15 V a 15 V, 75 A 1mA 4,3nF @ 25V Estándar -40 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje de chasis Módulo Módulo
FS150R06KE3BOSA1 Datasheet FS150R06KE3BOSA1 - Infineon Technologies FS150R06KE3BOSA1-ND IGBT MODULE 600V 150A 26 - Inmediata Disponible: 26 126,32000 € 1 Mínimo: 1
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Activo Parada de campo de trinchera Inversor trifásico 600V 150A 430W 1.9 V a 15 V, 150 A 1mA 9,3nF @ 25V Estándar No -40 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje de chasis Módulo Módulo
FP75R12KT4B11BOSA1 Datasheet FP75R12KT4B11BOSA1 - Infineon Technologies FP75R12KT4B11BOSA1-ND IGBT MODULE 1200V 75A 86 - Inmediata Disponible: 86 131,07000 € 1 Mínimo: 1
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Activo Parada de campo de trinchera Inversor trifásico 1200V 75A 385W 2.15 V a 15 V, 75 A 1mA 4,3nF @ 25V Estándar -40 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje de chasis Módulo Módulo
FF450R12ME4BOSA1 Datasheet FF450R12ME4BOSA1 - Infineon Technologies FF450R12ME4BOSA1-ND IGBT MODULE 1200V 450A 40 - Inmediata Disponible: 40 154,36000 € 1 Mínimo: 1
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Activo Parada de campo de trinchera Medio puente 1200V 675A 2250W 2.1 V a 15 V, 450 A 3mA 28nF @ 25V Estándar -40 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje de chasis Módulo Módulo
FS150R12KT4BOSA1 Datasheet FS150R12KT4BOSA1 - Infineon Technologies FS150R12KT4BOSA1-ND IGBT MODULE 1200V 150A 36 - Inmediata Disponible: 36 163,69000 € 1 Mínimo: 1
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Activo Parada de campo de trinchera Inversor trifásico 1200V 150A 750W 2.1 V a 15 V, 150 A 1mA
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Estándar -40 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje de chasis Módulo Módulo
FF600R12ME4BOSA1 Datasheet Photo Not Available FF600R12ME4BOSA1-ND
IGBT MODULE VCES 600V 600A 30 - Inmediata Disponible: 30 207,06000 € 1 Mínimo: 1
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Activo Parada de campo de trinchera 2 independientes 1200V
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4050W 2.1 V a 15 V, 600 A 3mA 37nF @ 25V Estándar -40 °C ~ 150 °C Montaje de chasis Módulo Módulo
FF900R12IE4BOSA1 Datasheet Photo Not Available FF900R12IE4BOSA1-ND IGBT MODULE 1200V 900A 42 - Inmediata Disponible: 42 445,55000 € 1 Mínimo: 1 PrimePack™2 Activo Parada de campo de trinchera Simple 1200V 900A 5100W 2.05 V a 15 V, 900 A 5mA 54nF @ 25V Estándar -40 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje de chasis Módulo Módulo
STGE200NB60S Datasheet STGE200NB60S - STMicroelectronics 497-6731-5-ND IGBT N-CHAN 150A 600V ISOTOP 196 - Inmediata Disponible: 196 24,30000 € 1 Mínimo: 1 PowerMESH™ Activo
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Simple 600V 200A 600W 1.6 V a 15 V, 100 A 500µA 1,56nF @ 25V Estándar No -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje de chasis ISOTOP ISOTOP
APT100GT120JU2 Datasheet APT100GT120JU2 - Microsemi Corporation APT100GT120JU2-ND IGBT 1200V 140A 480W SOT227 126 - Inmediata Disponible: 126 29,85000 € 1 Mínimo: 1
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Activo Parada de campo de trinchera Simple 1200V 140A 480W 2.1 V a 15 V, 100 A 5mA 7,2nF @ 25V Estándar No -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaje de chasis ISOTOP SOT-227
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