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Índice de productos > Productos semiconductores discretos > Transistores - FET, MOSFET - Simple

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Comparar piezas Datasheets Imagen Número de pieza de Digi-Key Número de pieza del fabricante Fabricante Descripción Cantidad disponible
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Cantidad mínima Empaquetado Serie Estado de la pieza Tipo FET Tecnología Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C Vgs(th) (máx.) en Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Vgs (máx.) Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Característica de FET Disipación de potencia (máx.) Temperatura de operación Tipo de montaje Paquete del dispositivo del proveedor Paquete / Caja (carcasa)
   
BSS84PH6327XTSA2 Datasheet BSS84PH6327XTSA2 - Infineon Technologies BSS84PH6327XTSA2TR-ND BSS84PH6327XTSA2 MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23 216.000 - Inmediata Disponible: 216.000 0,05231 € 3.000 Mínimo: 3.000 Cinta y rollo (TR)
Embalaje alternativo
SIPMOS® Activo Canal P MOSFET (óxido de metal) 60V 170mA (Ta) 4.5V, 10V 8Ohm a 170mA, 10V 2V a 20µA 1,5nC @ 10V ±20V 19pF @ 25V
-
360mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS84PH6327XTSA2 Datasheet BSS84PH6327XTSA2 - Infineon Technologies BSS84PH6327XTSA2CT-ND BSS84PH6327XTSA2 MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23 217.761 - Inmediata Disponible: 217.761 0,31000 € 1 Mínimo: 1 Cinta cortada (CT)
Embalaje alternativo
SIPMOS® Activo Canal P MOSFET (óxido de metal) 60V 170mA (Ta) 4.5V, 10V 8Ohm a 170mA, 10V 2V a 20µA 1,5nC @ 10V ±20V 19pF @ 25V
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360mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS84PH6327XTSA2 Datasheet BSS84PH6327XTSA2 - Infineon Technologies BSS84PH6327XTSA2DKR-ND BSS84PH6327XTSA2 MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23 217.761 - Inmediata Disponible: 217.761 Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Mínimo: 1 Digi-Reel®
Embalaje alternativo
SIPMOS® Activo Canal P MOSFET (óxido de metal) 60V 170mA (Ta) 4.5V, 10V 8Ohm a 170mA, 10V 2V a 20µA 1,5nC @ 10V ±20V 19pF @ 25V
-
360mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138NH6327XTSA2 Datasheet BSS138NH6327XTSA2 - Infineon Technologies BSS138NH6327XTSA2TR-ND BSS138NH6327XTSA2 MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 180.000 - Inmediata Disponible: 180.000 0,05695 € 3.000 Mínimo: 3.000 Cinta y rollo (TR)
Embalaje alternativo
SIPMOS® Activo Canal N MOSFET (óxido de metal) 60V 230mA (Ta) 4.5V, 10V 3.5Ohm a 230mA, 10V 1.4V a 26µA 1,4nC @ 10V ±20V 41pF @ 25V
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360mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138NH6327XTSA2 Datasheet BSS138NH6327XTSA2 - Infineon Technologies BSS138NH6327XTSA2CT-ND BSS138NH6327XTSA2 MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 180.969 - Inmediata Disponible: 180.969 0,32000 € 1 Mínimo: 1 Cinta cortada (CT)
Embalaje alternativo
SIPMOS® Activo Canal N MOSFET (óxido de metal) 60V 230mA (Ta) 4.5V, 10V 3.5Ohm a 230mA, 10V 1.4V a 26µA 1,4nC @ 10V ±20V 41pF @ 25V
-
360mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138NH6327XTSA2 Datasheet BSS138NH6327XTSA2 - Infineon Technologies BSS138NH6327XTSA2DKR-ND BSS138NH6327XTSA2 MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 180.969 - Inmediata Disponible: 180.969 Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Mínimo: 1 Digi-Reel®
Embalaje alternativo
SIPMOS® Activo Canal N MOSFET (óxido de metal) 60V 230mA (Ta) 4.5V, 10V 3.5Ohm a 230mA, 10V 1.4V a 26µA 1,4nC @ 10V ±20V 41pF @ 25V
-
360mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138WH6327XTSA1 Datasheet BSS138WH6327XTSA1 - Infineon Technologies BSS138WH6327XTSA1TR-ND BSS138WH6327XTSA1 MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323 171.000 - Inmediata Disponible: 171.000 0,05695 € 3.000 Mínimo: 3.000 Cinta y rollo (TR)
Embalaje alternativo
SIPMOS® Activo Canal N MOSFET (óxido de metal) 60V 280mA (Ta) 4.5V, 10V 3.5Ohm a 200mA, 10V 1.4V a 26µA 1,5nC @ 10V ±20V 43pF @ 25V
-
500mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie PG-SOT323-3 SC-70, SOT-323
BSS138WH6327XTSA1 Datasheet BSS138WH6327XTSA1 - Infineon Technologies BSS138WH6327XTSA1CT-ND BSS138WH6327XTSA1 MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323 171.825 - Inmediata Disponible: 171.825 0,32000 € 1 Mínimo: 1 Cinta cortada (CT)
Embalaje alternativo
SIPMOS® Activo Canal N MOSFET (óxido de metal) 60V 280mA (Ta) 4.5V, 10V 3.5Ohm a 200mA, 10V 1.4V a 26µA 1,5nC @ 10V ±20V 43pF @ 25V
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500mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie PG-SOT323-3 SC-70, SOT-323
BSS138WH6327XTSA1 Datasheet BSS138WH6327XTSA1 - Infineon Technologies BSS138WH6327XTSA1DKR-ND BSS138WH6327XTSA1 MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323 171.825 - Inmediata Disponible: 171.825 Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Mínimo: 1 Digi-Reel®
Embalaje alternativo
SIPMOS® Activo Canal N MOSFET (óxido de metal) 60V 280mA (Ta) 4.5V, 10V 3.5Ohm a 200mA, 10V 1.4V a 26µA 1,5nC @ 10V ±20V 43pF @ 25V
-
500mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie PG-SOT323-3 SC-70, SOT-323
BSS131H6327XTSA1 Datasheet BSS131H6327XTSA1 - Infineon Technologies BSS131H6327XTSA1TR-ND BSS131H6327XTSA1 MOSFET N-CH 240V 0.11A SOT23 84.000 - Inmediata Disponible: 84.000 0,07278 € 3.000 Mínimo: 3.000 Cinta y rollo (TR)
Embalaje alternativo
SIPMOS® Activo Canal N MOSFET (óxido de metal) 240V 110mA (Ta) 4.5V, 10V 14Ohm a 100mA, 10V 1.8V a 56µA 3,1nC @ 10V ±20V 77pF @ 25V
-
360mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS131H6327XTSA1 Datasheet BSS131H6327XTSA1 - Infineon Technologies BSS131H6327XTSA1CT-ND BSS131H6327XTSA1 MOSFET N-CH 240V 0.11A SOT23 85.334 - Inmediata Disponible: 85.334 0,40000 € 1 Mínimo: 1 Cinta cortada (CT)
Embalaje alternativo
SIPMOS® Activo Canal N MOSFET (óxido de metal) 240V 110mA (Ta) 4.5V, 10V 14Ohm a 100mA, 10V 1.8V a 56µA 3,1nC @ 10V ±20V 77pF @ 25V
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360mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS131H6327XTSA1 Datasheet BSS131H6327XTSA1 - Infineon Technologies BSS131H6327XTSA1DKR-ND BSS131H6327XTSA1 MOSFET N-CH 240V 0.11A SOT23 85.334 - Inmediata Disponible: 85.334 Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Mínimo: 1 Digi-Reel®
Embalaje alternativo
SIPMOS® Activo Canal N MOSFET (óxido de metal) 240V 110mA (Ta) 4.5V, 10V 14Ohm a 100mA, 10V 1.8V a 56µA 3,1nC @ 10V ±20V 77pF @ 25V
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360mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS83PH6327XTSA1 Datasheet BSS83PH6327XTSA1 - Infineon Technologies BSS83PH6327XTSA1TR-ND BSS83PH6327XTSA1 MOSFET P-CH 60V 0.33A SOT23 156.000 - Inmediata Disponible: 156.000 0,08598 € 3.000 Mínimo: 3.000 Cinta y rollo (TR)
Embalaje alternativo
SIPMOS® Activo Canal P MOSFET (óxido de metal) 60V 330mA (Ta) 4.5V, 10V 2Ohm a 330mA, 10V 2V a 80µA 3,57nC @ 10V ±20V 78pF @ 25V
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360mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS83PH6327XTSA1 Datasheet BSS83PH6327XTSA1 - Infineon Technologies BSS83PH6327XTSA1CT-ND BSS83PH6327XTSA1 MOSFET P-CH 60V 0.33A SOT23 156.042 - Inmediata Disponible: 156.042 0,40000 € 1 Mínimo: 1 Cinta cortada (CT)
Embalaje alternativo
SIPMOS® Activo Canal P MOSFET (óxido de metal) 60V 330mA (Ta) 4.5V, 10V 2Ohm a 330mA, 10V 2V a 80µA 3,57nC @ 10V ±20V 78pF @ 25V
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360mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS83PH6327XTSA1 Datasheet BSS83PH6327XTSA1 - Infineon Technologies BSS83PH6327XTSA1DKR-ND BSS83PH6327XTSA1 MOSFET P-CH 60V 0.33A SOT23 158.992 - Inmediata Disponible: 158.992 Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Mínimo: 1 Digi-Reel®
Embalaje alternativo
SIPMOS® Activo Canal P MOSFET (óxido de metal) 60V 330mA (Ta) 4.5V, 10V 2Ohm a 330mA, 10V 2V a 80µA 3,57nC @ 10V ±20V 78pF @ 25V
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360mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS139H6327XTSA1 Datasheet BSS139H6327XTSA1 - Infineon Technologies BSS139H6327XTSA1TR-ND BSS139H6327XTSA1 MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23 15.000 - Inmediata Disponible: 15.000 0,12918 € 3.000 Mínimo: 3.000 Cinta y rollo (TR)
Embalaje alternativo
SIPMOS® Activo Canal N MOSFET (óxido de metal) 250V 100mA (Ta) 0V, 10V 14Ohm a 100µA, 10V 1V a 56µA 3,5nC @ 5V ±20V 76pF @ 25V Modo de exclusión 360mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS139H6327XTSA1 Datasheet BSS139H6327XTSA1 - Infineon Technologies BSS139H6327XTSA1CT-ND BSS139H6327XTSA1 MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23 18.944 - Inmediata Disponible: 18.944 0,46000 € 1 Mínimo: 1 Cinta cortada (CT)
Embalaje alternativo
SIPMOS® Activo Canal N MOSFET (óxido de metal) 250V 100mA (Ta) 0V, 10V 14Ohm a 100µA, 10V 1V a 56µA 3,5nC @ 5V ±20V 76pF @ 25V Modo de exclusión 360mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS139H6327XTSA1 Datasheet BSS139H6327XTSA1 - Infineon Technologies BSS139H6327XTSA1DKR-ND BSS139H6327XTSA1 MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23 18.944 - Inmediata Disponible: 18.944 Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Mínimo: 1 Digi-Reel®
Embalaje alternativo
SIPMOS® Activo Canal N MOSFET (óxido de metal) 250V 100mA (Ta) 0V, 10V 14Ohm a 100µA, 10V 1V a 56µA 3,5nC @ 5V ±20V 76pF @ 25V Modo de exclusión 360mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSP171PH6327XTSA1 Datasheet BSP171PH6327XTSA1 - Infineon Technologies BSP171PH6327XTSA1TR-ND BSP171PH6327XTSA1 MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 13.000 - Inmediata Disponible: 13.000 0,30933 € 1.000 Mínimo: 1.000 Cinta y rollo (TR)
Embalaje alternativo
SIPMOS® Activo Canal P MOSFET (óxido de metal) 60V 1.9 A (Ta) 4.5V, 10V 300mOhm a 1.9A, 10V 2V a 460µA 20nC @ 10V ±20V 460pF @ 25V
-
1.8W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie PG-SOT223-4 TO-261-4, TO-261AA
BSP171PH6327XTSA1 Datasheet BSP171PH6327XTSA1 - Infineon Technologies BSP171PH6327XTSA1CT-ND BSP171PH6327XTSA1 MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 13.517 - Inmediata Disponible: 13.517 0,75000 € 1 Mínimo: 1 Cinta cortada (CT)
Embalaje alternativo
SIPMOS® Activo Canal P MOSFET (óxido de metal) 60V 1.9 A (Ta) 4.5V, 10V 300mOhm a 1.9A, 10V 2V a 460µA 20nC @ 10V ±20V 460pF @ 25V
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1.8W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie PG-SOT223-4 TO-261-4, TO-261AA
BSP171PH6327XTSA1 Datasheet BSP171PH6327XTSA1 - Infineon Technologies BSP171PH6327XTSA1DKR-ND BSP171PH6327XTSA1 MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 13.517 - Inmediata Disponible: 13.517 Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Mínimo: 1 Digi-Reel®
Embalaje alternativo
SIPMOS® Activo Canal P MOSFET (óxido de metal) 60V 1.9 A (Ta) 4.5V, 10V 300mOhm a 1.9A, 10V 2V a 460µA 20nC @ 10V ±20V 460pF @ 25V
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1.8W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie PG-SOT223-4 TO-261-4, TO-261AA
BSP613PH6327XTSA1 Datasheet BSP613PH6327XTSA1 - Infineon Technologies BSP613PH6327XTSA1TR-ND BSP613PH6327XTSA1 MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223 5.000 - Inmediata Disponible: 5.000 0,42783 € 1.000 Mínimo: 1.000 Cinta y rollo (TR)
Embalaje alternativo
SIPMOS® Activo Canal P MOSFET (óxido de metal) 60V 2.9 A (Ta) 10V 130mOhm a 2.9A, 10V 4V a 1mA 33nC @ 10V ±20V 875pF @ 25V
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1.8W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie PG-SOT223-4 TO-261-4, TO-261AA
BSP613PH6327XTSA1 Datasheet BSP613PH6327XTSA1 - Infineon Technologies BSP613PH6327XTSA1CT-ND BSP613PH6327XTSA1 MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223 5.146 - Inmediata Disponible: 5.146 0,97000 € 1 Mínimo: 1 Cinta cortada (CT)
Embalaje alternativo
SIPMOS® Activo Canal P MOSFET (óxido de metal) 60V 2.9 A (Ta) 10V 130mOhm a 2.9A, 10V 4V a 1mA 33nC @ 10V ±20V 875pF @ 25V
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1.8W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie PG-SOT223-4 TO-261-4, TO-261AA
BSP613PH6327XTSA1 Datasheet BSP613PH6327XTSA1 - Infineon Technologies BSP613PH6327XTSA1DKR-ND BSP613PH6327XTSA1 MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223 5.146 - Inmediata Disponible: 5.146 Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Mínimo: 1 Digi-Reel®
Embalaje alternativo
SIPMOS® Activo Canal P MOSFET (óxido de metal) 60V 2.9 A (Ta) 10V 130mOhm a 2.9A, 10V 4V a 1mA 33nC @ 10V ±20V 875pF @ 25V
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1.8W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie PG-SOT223-4 TO-261-4, TO-261AA
BSP149H6327XTSA1 Datasheet BSP149H6327XTSA1 - Infineon Technologies BSP149H6327XTSA1TR-ND BSP149H6327XTSA1 MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 6.000 - Inmediata Disponible: 6.000 0,46577 € 1.000 Mínimo: 1.000 Cinta y rollo (TR)
Embalaje alternativo
SIPMOS® Activo Canal N MOSFET (óxido de metal) 200V 660mA (Ta) 0V, 10V 1.8Ohm a 660mA, 10V 1V a 400µA 14nC @ 5V ±20V 430pF @ 25V Modo de exclusión 1.8W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie PG-SOT223-4 TO-261-4, TO-261AA
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