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SUM110N10-09-E3 Canal N Montaje en superficie 100V 110 A (Tc) 3.75W (Ta), 375W (Tc) TO-263 (D2Pak)
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SUM110N10-09-E3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SUM110N10-09-E3

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Descripción MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK
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Plazo estándar del fabricante 60 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 100V 110 A (Tc) 3.75W (Ta), 375W (Tc) TO-263 (D2Pak)

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Documentos y medios
Hojas de datos SUM110N10-09
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Assembly Site Add 9/Jun/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 110 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 9.5mOhm a 30A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 160nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6700pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TO-263 (D2Pak)
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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SUM110N10-09-E3CT
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