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SQJ974EP-T1_GE3 MOSFET - Arreglos Dos canal N (doble) 100V 30 A (Tc) 48W Montaje en superficie PowerPAK® SO-8 Dual
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0,94000 0,94 €
10 0,84100 8,41 €
25 0,79880 19,97 €
100 0,59910 59,91 €
500 0,50782 253,91 €
1.000 0,41368 413,68 €

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : SQJ974EP-T1_GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3.000
  • Cantidad disponible: 30.000 - Inmediata
  • Precio unitario: 0,42638 €
  • Digi-Reel®  : SQJ974EP-T1_GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 31.629 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

SQJ974EP-T1_GE3

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key SQJ974EP-T1_GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SQJ974EP-T1_GE3
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Descripción MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8
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Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Descripción detallada

MOSFET - Arreglos Dos canal N (doble) 100V 30 A (Tc) 48W Montaje en superficie PowerPAK® SO-8 Dual

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Documentos y medios
Hojas de datos SQJ974EP
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Modelos EDA/CAD SQJ974EP-T1_GE3 by SnapEDA
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Dos canal N (doble)
Característica de FET Estándar
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 30 A (Tc)
Rds On (máx) @ Id, Vgs 25.5mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 30nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1050pF a 25V
Potencia - Máx. 48W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SO-8 Dual
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8 Dual
Número de pieza base SQJ974
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres SQJ974EP-T1_GE3CT