Agregar a favoritos
SQ2362ES-T1_GE3 Canal N Montaje en superficie 60V 4.3 A (Tc) 3W (Tc)
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en EUR.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0,48000 0,48 €
10 0,41400 4,14 €
100 0,30880 30,88 €
500 0,24258 121,29 €
1.000 0,18745 187,45 €

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SQ2362ES-T1_GE3CT-ND
Copiar   SQ2362ES-T1_GE3CT-ND
Cantidad disponible 28.688
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Copiar   PartSearchCore.DksusService3.PidVid
Número de pieza del fabricante

SQ2362ES-T1_GE3

Copiar   SQ2362ES-T1_GE3
Descripción MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236
Copiar   MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 4.3 A (Tc) 3W (Tc)

Copiar   Canal N Montaje en superficie 60V 4.3 A (Tc) 3W (Tc)
Documentos y medios
Hojas de datos SQ2362ES
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 4.3 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 95mOhm a 4.5A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 12nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 550pF @ 30V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
También le puede interesar
  • SQ2361ES-T1_GE3 - Vishay Siliconix | SQ2361ES-T1_GE3CT-ND DigiKey Electronics
  • SQ2361ES-T1_GE3
  • Vishay Siliconix
  • MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23
  • Precio unitario 0,54000 €
  • SQ2361ES-T1_GE3CT-ND
  • TL431AQDBZRQ1 - Texas Instruments | 296-21853-1-ND DigiKey Electronics
  • TL431AQDBZRQ1
  • Texas Instruments
  • IC VREF SHUNT ADJ SOT23-3
  • Precio unitario 0,38000 €
  • 296-21853-1-ND
  • GRPB041VWCN-RC - Sullins Connector Solutions | S9016E-04-ND DigiKey Electronics
  • GRPB041VWCN-RC
  • Sullins Connector Solutions
  • CONN HEADER R/A 4POS 1.27MM
  • Precio unitario 0,38000 €
  • S9016E-04-ND
  • SI2392ADS-T1-GE3 - Vishay Siliconix | SI2392ADS-T1-GE3CT-ND DigiKey Electronics
  • SI2392ADS-T1-GE3
  • Vishay Siliconix
  • MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23
  • Precio unitario 0,47000 €
  • SI2392ADS-T1-GE3CT-ND
  • UA78M05IDCYR - Texas Instruments | 296-17616-1-ND DigiKey Electronics
  • UA78M05IDCYR
  • Texas Instruments
  • IC REG LINEAR 5V 500MA SOT223-4
  • Precio unitario 0,57000 €
  • 296-17616-1-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SQ2362ES-T1_GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SQ2362ES-T1_GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3.000
  • Cantidad disponible: 27.000 - Inmediata
  • Precio unitario: 0,16593 €
  • Digi-Reel® ? : SQ2362ES-T1_GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 28.688 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

13:53:35 8/19/2019