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SQ2362ES-T1_GE3 Canal N Montaje en superficie 60V 4.3 A (Tc) 3W (Tc) SOT-23-3 (TO-236)
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0,47000 0,47 €
10 0,39900 3,99 €
25 0,37280 9,32 €
100 0,27690 27,69 €
250 0,26304 65,76 €
500 0,21618 108,09 €
1.000 0,17571 175,71 €

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : SQ2362ES-T1_GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3.000
  • Cantidad disponible: 39.000 - Inmediata
  • Precio unitario: 0,16506 €
  • Digi-Reel®  : SQ2362ES-T1_GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 41.744 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

SQ2362ES-T1_GE3

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key SQ2362ES-T1_GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SQ2362ES-T1_GE3
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Descripción MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236
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Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 4.3 A (Tc) 3W (Tc) SOT-23-3 (TO-236)

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Documentos y medios
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 4.3 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 95mOhm a 4.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 12nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 550pF @ 30V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 3W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de pieza base SQ2362
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres SQ2362ES-T1_GE3CT