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SQ2301ES-T1_GE3 Canal P Montaje en superficie 20V 3.9 A (Tc) 3W (Tc) TO-236 (SOT-23)
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100 0,25190 25,19 €
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SQ2301ES-T1_GE3

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Número de pieza de Digi-Key SQ2301ES-T1_GE3CT-ND
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Número de pieza del fabricante SQ2301ES-T1_GE3
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Descripción MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236
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Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 20V 3.9 A (Tc) 3W (Tc) TO-236 (SOT-23)

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Fabricante Vishay Siliconix
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 3.9 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.5V, 4.5V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 120mOhm a 2.8A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 8nC @ 4,5V
Vgs (máx.) ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 425pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TA)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TO-236 (SOT-23)
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres SQ2301ES-T1_GE3CT