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SIHP100N60E-GE3 Canal N Orificio pasante 600V 30 A (Tc) 208W (Tc) TO-220AB
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10 3,82500 38,25 €
100 3,13410 313,41 €
500 2,66802 1.334,01 €
1.000 2,25014 2.250,14 €
2.500 2,13764 5.344,09 €

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIHP100N60E-GE3-ND
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Número de pieza del fabricante

SIHP100N60E-GE3

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Descripción MOSFET E SERIES 600V TO-220AB
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 600V 30 A (Tc) 208W (Tc) TO-220AB

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Hojas de datos SIHP100N60E
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie E
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 30 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 100mOhm a 13A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 50nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1851pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 208W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1.000

05:36:23 9/19/2019