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SIHP100N60E-GE3 Canal N Orificio pasante 600V 30 A (Tc) 208W (Tc) TO-220AB
Precio y compra
1.008 En Stock
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 4,03000 4,03 €
10 3,62100 36,21 €
25 3,42360 85,59 €
100 2,73890 273,89 €
500 2,43454 1.217,27 €
1.000 2,08457 2.084,57 €
2.500 2,05414 5.135,36 €
5.000 1,87155 9.357,76 €
9.000 1,82590 16.433,14 €

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SIHP100N60E-GE3

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key SIHP100N60E-GE3-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SIHP100N60E-GE3
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Descripción MOSFET E SERIES 600V TO-220AB
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 600V 30 A (Tc) 208W (Tc) TO-220AB

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Documentos y medios
Hojas de datos SIHP100N60E
Diseño/especificación de PCN Mult Dev Material Chg 30/Aug/2019
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie E
Embalaje Tubo 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 30 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 100mOhm a 13A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 50nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1851pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 208W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Número de pieza base SIHP100
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar 1.000