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SIHG21N65EF-GE3 Canal N Orificio pasante 650V 21 A (Tc) 208W (Tc) TO-247AC
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 4,34000 4,34 €
10 3,90000 39,00 €
25 3,68720 92,18 €
100 2,94980 294,98 €
500 2,62202 1.311,01 €
1.000 2,24511 2.245,11 €
2.500 2,21233 5.530,83 €
5.000 2,01568 10.078,39 €
9.000 1,96652 17.698,64 €

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SIHG21N65EF-GE3

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key SIHG21N65EF-GE3-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SIHG21N65EF-GE3
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Descripción MOSFET N-CH 650V 21A TO-247AC
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Plazo estándar del fabricante 21 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 21 A (Tc) 208W (Tc) TO-247AC

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Documentos y medios
Hojas de datos SIHG21N65EF
Archivo de video
Ensamble/origen de PCN Mult Devices 18/Aug/2017
Embalaje de PCN Packing Tube Design 19/Sep/2019
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie -
Embalaje Tubo 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 21 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 180mOhm a 11A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 106nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2322pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 208W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247AC
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
Número de pieza base SIHG21
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar 500