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SIHG21N65EF-GE3 Canal N Orificio pasante 650V 21 A (Tc) 208W (Tc) TO-247AC
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10 4,11900 41,19 €
100 3,37550 337,55 €
500 2,87348 1.436,74 €
1.000 2,42342 2.423,42 €
2.500 2,30225 5.755,63 €

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SIHG21N65EF-GE3

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Descripción MOSFET N-CH 650V 21A TO-247AC
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 21 A (Tc) 208W (Tc) TO-247AC

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Documentos y medios
Hojas de datos SIHG21N65EF
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Mult Devices 18/Aug/2017
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 21 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 180mOhm a 11A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 106nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2322pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 208W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247AC
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 500

06:08:25 9/19/2019