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SIHF15N65E-GE3 Canal N Orificio pasante 650V 15 A (Tc) 34W (Tc) TO-220 paquete completo
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10 2,79700 27,97 €
100 2,29110 229,11 €
500 1,95040 975,20 €
1.000 1,64491 1.644,91 €
2.500 1,56267 3.906,67 €

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SIHF15N65E-GE3

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Número de pieza de Digi-Key SIHF15N65E-GE3-ND
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Descripción MOSFET N-CH 650V 15A TO220AB
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 15 A (Tc) 34W (Tc) TO-220 paquete completo

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Documentos y medios
Hojas de datos SIHF15N65E
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Diseño/especificación de PCN Advisory 20/Mar/2019
Ensamble/origen de PCN SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014
Mult Devices 18/Jul/2017
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie -
Empaquetado Tubo 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 15 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 280mOhm a 8A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 96nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1640pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 34W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220 paquete completo
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3 paquete completo
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar 1.000
Otros nombres SIHF15N65E-GE3CT
SIHF15N65E-GE3CT-ND