EUR | USD
Favorito

SIHA11N80E-GE3 Canal N Orificio pasante 800V 12 A (Tc) 34W (Tc) TO-220 paquete completo
Precio y compra
924 En Stock
Disponible para envío inmediato
 

Cantidad
Todos los precios están en EUR.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2,83000 2,83 €
10 2,54100 25,41 €
25 2,40160 60,04 €
100 1,92150 192,15 €
500 1,70798 853,99 €
1.000 1,46245 1.462,45 €
2.500 1,44110 3.602,76 €
5.000 1,31301 6.565,03 €
9.000 1,28098 11.528,83 €

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

SIHA11N80E-GE3

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key SIHA11N80E-GE3-ND
Copiar  
Fabricante

Copiar  
Número de pieza del fabricante SIHA11N80E-GE3
Copiar  
Descripción MOSFET N-CHAN 800V TO-220FP
Copiar  
Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 800V 12 A (Tc) 34W (Tc) TO-220 paquete completo

Copiar  
Documentos y medios
Hojas de datos SIHA11N80E
Hoja de datos de HTML SIHA11N80E
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie E
Embalaje Tubo 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 800V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 12 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 440mOhm a 5.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 88nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1670pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 34W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220 paquete completo
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3 paquete completo
Número de pieza base SIHA11
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar 1.000