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SIA483DJ-T1-GE3 Canal P Montaje en superficie 30V 12 A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) PowerPAK® SC-70-6 simple
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1 0,43000 0,43 €
10 0,36600 3,66 €
25 0,34200 8,55 €
100 0,25380 25,38 €
250 0,24112 60,28 €
500 0,19816 99,08 €
1.000 0,16106 161,06 €

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  • Digi-Reel®  : SIA483DJ-T1-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 4.928 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

SIA483DJ-T1-GE3

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key SIA483DJ-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SIA483DJ-T1-GE3
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Descripción MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 30V 12 A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) PowerPAK® SC-70-6 simple

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Documentos y medios
Hojas de datos SIA483DJ
Producto destacado 12 V, -20 V, and -30 V Gen III P-Channel MOSFETs
Ensamble/origen de PCN Wafer Fab Addition 22/Jun/2015
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Hoja de datos de HTML SIA483DJ
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 12 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 21mOhm a 5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 2.2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 45nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1550pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SC-70-6 simple
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SC-70-6
Número de pieza base SIA483
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres SIA483DJ-T1-GE3CT