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SIA427ADJ-T1-GE3 Canal P Montaje en superficie 8V 12 A (Tc) 19W (Tc) PowerPAK® SC-70-6 simple
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Escala de precios Precio unitario Precio total
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10 0,42200 4,22 €
100 0,31490 31,49 €
500 0,24740 123,70 €
1.000 0,19117 191,17 €

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  • Cinta y rollo (TR)  : SIA427ADJ-T1-GE3TR-ND
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  • Digi-Reel®  : SIA427ADJ-T1-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 11.750 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

SIA427ADJ-T1-GE3

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Número de pieza de Digi-Key SIA427ADJ-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SIA427ADJ-T1-GE3
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Descripción MOSFET P-CH 8V 12A 6SC-70
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 8V 12 A (Tc) 19W (Tc) PowerPAK® SC-70-6 simple

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Hojas de datos SIA427ADJ
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 8V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 12 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.2V, 4.5V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 16mOhm a 8.2A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) en Id 800mV a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 50nC @ 5V
Vgs (máx.) ±5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2300pF @ 4V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 19W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SC-70-6 simple
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SC-70-6
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres SIA427ADJ-T1-GE3CT