Agregar a favoritos
SI8802DB-T2-E1 Canal N Montaje en superficie 8V 500mW (Ta) 4-Microfoot
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en EUR.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0,36000 0,36 €
10 0,30300 3,03 €
100 0,22640 22,64 €
500 0,17788 88,94 €
1.000 0,13746 137,46 €

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI8802DB-T2-E1CT-ND
Copiar   SI8802DB-T2-E1CT-ND
Cantidad disponible 12.400
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Copiar   PartSearchCore.DksusService3.PidVid
Número de pieza del fabricante

SI8802DB-T2-E1

Copiar   SI8802DB-T2-E1
Descripción MOSFET N-CH 8V MICROFOOT
Copiar   MOSFET N-CH 8V MICROFOOT
Plazo estándar del fabricante 30 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 8V 500mW (Ta) 4-Microfoot

Copiar   Canal N Montaje en superficie 8V  500mW (Ta) 4-Microfoot
Documentos y medios
Hojas de datos Si8802DB
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 8V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC -
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.2V, 4.5V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 54mOhm a 1A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) en Id 700mV a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 6,5nC @ 4,5V
Vgs (máx.) ±5V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 500mW (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 4-Microfoot
Paquete / Caja (carcasa) 4-XFBGA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
También le puede interesar
  • DMN1054UCB4-7 - Diodes Incorporated | DMN1054UCB4-7DICT-ND DigiKey Electronics
  • DMN1054UCB4-7
  • Diodes Incorporated
  • MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4
  • Precio unitario 0,55000 €
  • DMN1054UCB4-7DICT-ND
  • TCR3UG30A,LF - Toshiba Semiconductor and Storage | TCR3UG30ALFCT-ND DigiKey Electronics
  • TCR3UG30A,LF
  • Toshiba Semiconductor and Storage
  • IC REG LINEAR 3V 300MA 4WCSP-F
  • Precio unitario 0,42000 €
  • TCR3UG30ALFCT-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI8802DB-T2-E1CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI8802DB-T2-E1TR-ND
  • Cantidad mínima: 3.000
  • Cantidad disponible: 12.000 - Inmediata
  • Precio unitario: 0,12953 €
  • Digi-Reel® ? : SI8802DB-T2-E1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 12.400 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

17:35:57 8/20/2019