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SI8802DB-T2-E1 Canal N Montaje en superficie 8V 500mW (Ta) 4-Microfoot
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0,43000 0,43 €
10 0,35200 3,52 €
25 0,32120 8,03 €
100 0,20170 20,17 €
250 0,19952 49,88 €
500 0,18680 93,40 €
1.000 0,12703 127,03 €

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : SI8802DB-T2-E1TR-ND
  • Cantidad mínima: 3.000
  • Cantidad disponible: 11.696 - Inmediata
  • Precio unitario: 0,12179 €
  • Digi-Reel®  : SI8802DB-T2-E1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 11.896 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

SI8802DB-T2-E1

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Número de pieza de Digi-Key SI8802DB-T2-E1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SI8802DB-T2-E1
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Descripción MOSFET N-CH 8V MICROFOOT
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Plazo estándar del fabricante 30 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 8V 500mW (Ta) 4-Microfoot

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Documentos y medios
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Modelos EDA/CAD SI8802DB-T2-E1 by SnapEDA
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Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 8V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC -
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.2V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 54mOhm a 1A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id 700mV a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 6,5nC @ 4,5V
Vgs (máx.) ±5V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 4-Microfoot
Paquete / Caja (carcasa) 4-XFBGA
Número de pieza base SI8802
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres SI8802DB-T2-E1CT