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SI3457CDV-T1-GE3 Canal P Montaje en superficie 30V 5.1 A (Tc) 2W (Ta), 3W (Tc) 6-TSOP
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0,35000 0,35 €
10 0,30700 3,07 €
25 0,28640 7,16 €
100 0,21270 21,27 €
250 0,20208 50,52 €
500 0,16608 83,04 €
1.000 0,13500 135,00 €

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  • Cinta y rollo (TR)  : SI3457CDV-T1-GE3TR-ND
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  • Digi-Reel®  : SI3457CDV-T1-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
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  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

SI3457CDV-T1-GE3

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Número de pieza del fabricante SI3457CDV-T1-GE3
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Descripción MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-TSOP
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 30V 5.1 A (Tc) 2W (Ta), 3W (Tc) 6-TSOP

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Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 5.1 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 74mOhm a 4.1A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 15nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 450pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 2W (Ta), 3W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 6-TSOP
Paquete / Caja (carcasa) SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
Número de pieza base SI3457
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
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