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SI3442BDV-T1-E3 Canal N Montaje en superficie 20V 3 A (Ta) 860mW (Ta) 6-TSOP
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10 0,45600 4,56 €
100 0,34020 34,02 €
500 0,26726 133,63 €
1.000 0,20651 206,51 €

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI3442BDV-T1-E3CT-ND
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Número de pieza del fabricante

SI3442BDV-T1-E3

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Descripción MOSFET N-CH 20V 3A 6-TSOP
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Plazo estándar del fabricante 30 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 20V 3 A (Ta) 860mW (Ta) 6-TSOP

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Documentos y medios
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 3 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.5V, 4.5V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 57mOhm a 4A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.8V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 5nC @ 4,5V
Vgs (máx.) ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 295pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 860mW (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 6-TSOP
Paquete / Caja (carcasa) SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI3442BDV-T1-E3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI3442BDV-T1-E3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3.000
  • Cantidad disponible: 9.000 - Inmediata
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 9.706 - Inmediata
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23:37:00 8/22/2019