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SI3421DV-T1-GE3 Canal P Montaje en superficie 30V 8 A (Tc) 2W (Ta), 4.2W (Tc) 6-TSOP
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0,45000 0,45 €
10 0,38100 3,81 €
25 0,35640 8,91 €
100 0,26470 26,47 €
250 0,25148 62,87 €
500 0,20668 103,34 €
1.000 0,16799 167,99 €

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : SI3421DV-T1-GE3TR-ND
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  • Digi-Reel®  : SI3421DV-T1-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 5.640 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

SI3421DV-T1-GE3

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key SI3421DV-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SI3421DV-T1-GE3
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Descripción MOSFET P-CH 30V 8A TSOP-6
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 30V 8 A (Tc) 2W (Ta), 4.2W (Tc) 6-TSOP

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Documentos y medios
Hojas de datos SI3421DV
TSOP Package Drawing
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Wafer Fab Addition 22/Jun/2015
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 8 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 19.2mOhm a 7A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 69nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2580pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 6-TSOP
Paquete / Caja (carcasa) SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
Número de pieza base SI3421
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres SI3421DV-T1-GE3CT