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SI3407DV-T1-GE3 Canal P Montaje en superficie 20V 8 A (Tc) 4.2W (Tc) 6-TSOP
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10 0,37900 3,79 €
100 0,28300 28,30 €
500 0,22236 111,18 €
1.000 0,17183 171,83 €

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI3407DV-T1-GE3CT-ND
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Número de pieza del fabricante

SI3407DV-T1-GE3

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Descripción MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP
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Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 20V 8 A (Tc) 4.2W (Tc) 6-TSOP

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Documentos y medios
Hojas de datos SI3407DV
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Wafer Site 12/Sep/2018
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 8 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.5V, 4.5V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 24mOhm a 7.5A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 63nC @ 10V
Vgs (máx.) ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1670pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 4.2W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 6-TSOP
Paquete / Caja (carcasa) SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI3407DV-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI3407DV-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3.000
  • Cantidad disponible: 3.000 - Inmediata
  • Precio unitario: 0,15210 €
  • Digi-Reel® ? : SI3407DV-T1-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 3.410 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

08:48:05 8/22/2019