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SI2367DS-T1-GE3 Canal P Montaje en superficie 20V 3.8 A (Tc) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) SOT-23-3 (TO-236)
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Cantidad
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1 0,37000 0,37 €
10 0,31000 3,10 €
100 0,23160 23,16 €
500 0,18194 90,97 €
1.000 0,14059 140,59 €

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI2367DS-T1-GE3CT-ND
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Número de pieza del fabricante

SI2367DS-T1-GE3

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Descripción MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT-23
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Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 20V 3.8 A (Tc) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) SOT-23-3 (TO-236)

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Documentos y medios
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 3.8 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8V, 4.5V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 66mOhm a 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) en Id 1V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 23nC @ 8V
Vgs (máx.) ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 561pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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  • Precio unitario 0,38000 €
  • SI2312CDS-T1-GE3CT-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI2367DS-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI2367DS-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3.000
  • Cantidad disponible: 3.000 - Inmediata
  • Precio unitario: 0,12445 €
  • Digi-Reel® ? : SI2367DS-T1-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 3.624 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

09:01:52 8/18/2019