EUR | USD
Favorito

SI2367DS-T1-GE3 Canal P Montaje en superficie 20V 3.8 A (Tc) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) SOT-23-3 (TO-236)
Precio y compra
14.288 En Stock
Disponible para envío inmediato
 

Cantidad
Todos los precios están en EUR.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0,35000 0,35 €
10 0,30700 3,07 €
25 0,28640 7,16 €
100 0,21250 21,25 €
250 0,20192 50,48 €
500 0,16592 82,96 €
1.000 0,13487 134,87 €

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : SI2367DS-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3.000
  • Cantidad disponible: 12.000 - Inmediata
  • Precio unitario: 0,12669 €
  • Digi-Reel®  : SI2367DS-T1-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 14.288 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

SI2367DS-T1-GE3

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key SI2367DS-T1-GE3CT-ND
Copiar  
Fabricante

Copiar  
Número de pieza del fabricante SI2367DS-T1-GE3
Copiar  
Descripción MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT-23
Copiar  
Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 20V 3.8 A (Tc) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) SOT-23-3 (TO-236)

Copiar  
Documentos y medios
Hojas de datos SI2367DS
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Mult Dev Mfg/Test Qual 11/Sep/2019
Hoja de datos de HTML SI2367DS
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 3.8 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8V, 4.5V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 66mOhm a 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) en Id 1V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 23nC @ 8V
Vgs (máx.) ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 561pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de pieza base SI2367
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
También le puede interesar

1-1734028-1

CONN PLUG USB2.0 TYPEA 4P SMD RA

TE Connectivity AMP Connectors

1,53000 € Detalles

CPH3350-TL-W

MOSFET P-CH 20V 3A CPH3

ON Semiconductor

0,38000 € Detalles
Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres SI2367DS-T1-GE3CT