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SI2324DS-T1-GE3 Canal N Montaje en superficie 100V 2.3 A (Tc) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
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10 0,49200 4,92 €
100 0,36740 36,74 €
500 0,28862 144,31 €
1.000 0,22303 223,03 €

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SI2324DS-T1-GE3

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Número de pieza de Digi-Key SI2324DS-T1-GE3CT-ND
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Descripción MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-23
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Canal N Montaje en superficie 100V 2.3 A (Tc) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)

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Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 2.3 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 234mOhm a 1.5A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.9V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 10,4nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 190pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres SI2324DS-T1-GE3CT