EUR | USD
Favorito

SI2323DDS-T1-GE3 Canal P Montaje en superficie 20V 5.3 A (Tc) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) SOT-23
Precio y compra
16.559 En Stock
Disponible para envío inmediato
 

Cantidad
Todos los precios están en EUR.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0,50000 0,50 €
10 0,42500 4,25 €
25 0,39640 9,91 €
100 0,29440 29,44 €
250 0,27968 69,92 €
500 0,22986 114,93 €
1.000 0,18683 186,83 €

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : SI2323DDS-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3.000
  • Cantidad disponible: 15.000 - Inmediata
  • Precio unitario: 0,17551 €
  • Digi-Reel®  : SI2323DDS-T1-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 16.559 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

SI2323DDS-T1-GE3

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key SI2323DDS-T1-GE3CT-ND
Copiar  
Fabricante

Copiar  
Número de pieza del fabricante SI2323DDS-T1-GE3
Copiar  
Descripción MOSFET P-CH 20V 5.3A SOT-23
Copiar  
Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 20V 5.3 A (Tc) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) SOT-23

Copiar  
Documentos y medios
Hojas de datos SI2323DDS
Ensamble/origen de PCN Wafer Fab Addition 22/Jun/2015
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Hoja de datos de HTML SI2323DDS
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 5.3 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 39mOhm a 4.1A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id 1V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 36nC @ 8V
Vgs (máx.) ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1160pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de pieza base SI2323
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
También le puede interesar

SI2323DS-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3

Vishay Siliconix

0,57000 € Detalles

MIC2026-1YM-TR

IC PWR SWITCH N-CHAN 1:2 8SOIC

Microchip Technology

0,89000 € Detalles

TPS62172DSGR

IC REG BUCK 3.3V 500MA 8WSON

Texas Instruments

1,14000 € Detalles

SI2312BDS-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

Vishay Siliconix

0,38000 € Detalles

NTD25P03LT4G

MOSFET P-CH 30V 25A DPAK

ON Semiconductor

0,82000 € Detalles

SI2323DS-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3

Vishay Siliconix

0,57000 € Detalles
Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres SI2323DDS-T1-GE3CT