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SI2316BDS-T1-GE3 Canal N Montaje en superficie 30V 4.5 A (Tc) 1.25W (Ta), 1.66W (Tc) SOT-23-3 (TO-236)
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10 0,42000 4,20 €
25 0,39520 9,88 €
100 0,28660 28,66 €
500 0,23944 119,72 €
1.000 0,20378 203,78 €

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  • Cinta y rollo (TR)  : SI2316BDS-T1-GE3TR-ND
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  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

SI2316BDS-T1-GE3

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Número de pieza del fabricante SI2316BDS-T1-GE3
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Descripción MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 30V 4.5 A (Tc) 1.25W (Ta), 1.66W (Tc) SOT-23-3 (TO-236)

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Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 4.5 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 50mOhm a 3.9A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 9,6nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 350pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 1.25W (Ta), 1.66W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de pieza base SI2316
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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