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SI1965DH-T1-GE3 MOSFET - Arreglos Dos canal P (doble) 12V 1.3A 1.25W Montaje en superficie SC-70-6 (SOT-363)
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0,44000 0,44 €
10 0,38100 3,81 €
25 0,35520 8,88 €
100 0,26360 26,36 €
250 0,25040 62,60 €
500 0,20580 102,90 €
1.000 0,16727 167,27 €

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : SI1965DH-T1-GE3TR-ND
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  • Digi-Reel®  : SI1965DH-T1-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 9.695 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

SI1965DH-T1-GE3

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Número de pieza de Digi-Key SI1965DH-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SI1965DH-T1-GE3
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Descripción MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

MOSFET - Arreglos Dos canal P (doble) 12V 1.3A 1.25W Montaje en superficie SC-70-6 (SOT-363)

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Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Dos canal P (doble)
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 12V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 1.3A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 390mOhm a 1A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) en Id 1V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 4.2nC a 8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 120pF a 6V
Potencia máxima 1.25W
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete del dispositivo del proveedor SC-70-6 (SOT-363)
Número de pieza base SI1965
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres SI1965DH-T1-GE3CT