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SI1050X-T1-GE3 Canal N Montaje en superficie 8V 1.34 A (Ta) 236mW (Ta) SC-89-6
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0,43000 0,43 €
10 0,36600 3,66 €
25 0,34200 8,55 €
100 0,25380 25,38 €
250 0,24112 60,28 €
500 0,19816 99,08 €
1.000 0,16106 161,06 €

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : SI1050X-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3.000
  • Cantidad disponible: 60.000 - Inmediata
  • Precio unitario: 0,15130 €
  • Digi-Reel®  : SI1050X-T1-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 60.375 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

SI1050X-T1-GE3

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key SI1050X-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SI1050X-T1-GE3
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Descripción MOSFET N-CH 8V 1.34A SC-89-6
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 8V 1.34 A (Ta) 236mW (Ta) SC-89-6

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Documentos y medios
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 8V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 1.34 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.5V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 86mOhm a 1.34A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id 900mV a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 11,6nC @ 5V
Vgs (máx.) ±5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 585pF @ 4V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 236mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SC-89-6
Paquete / Caja (carcasa) SOT-563, SOT-666
Número de pieza base SI1050
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres SI1050X-T1-GE3CT