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SI1050X-T1-GE3 Canal N Montaje en superficie 8V 1.34 A (Ta) 236mW (Ta) SC-89-6
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10 0,37900 3,79 €
100 0,28300 28,30 €
500 0,22236 111,18 €
1.000 0,17183 171,83 €

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI1050X-T1-GE3CT-ND
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Cantidad disponible 19.673
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI1050X-T1-GE3

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Descripción MOSFET N-CH 8V 1.34A SC-89-6
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Plazo estándar del fabricante 50 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 8V 1.34 A (Ta) 236mW (Ta) SC-89-6

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Documentos y medios
Hojas de datos SI1050X
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 8V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 1.34 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.5V, 4.5V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 86mOhm a 1.34A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) en Id 900mV a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 11,6nC @ 5V
Vgs (máx.) ±5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 585pF @ 4V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 236mW (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SC-89-6
Paquete / Caja (carcasa) SOT-563, SOT-666
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI1050X-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI1050X-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3.000
  • Cantidad disponible: 18.000 - Inmediata
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  • Digi-Reel® ? : SI1050X-T1-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 19.673 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

06:52:30 8/20/2019