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SI1013X-T1-GE3 Canal P Montaje en superficie 20V 350mA (Ta) 250mW (Ta) SC-89-3
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10 0,37500 3,75 €
100 0,25500 25,50 €
500 0,19120 95,60 €
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI1013X-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI1013X-T1-GE3

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Descripción MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
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Plazo estándar del fabricante 33 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 20V 350mA (Ta) 250mW (Ta) SC-89-3

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Documentos y medios
Hojas de datos Si1013R,X
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 350mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8V, 4.5V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.2Ohm a 350mA, 4.5V
Vgs(th) (máx.) en Id 450mV a 250µA (mín.)
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 1,5nC @ 4,5V
Vgs (máx.) ±6V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 250mW (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SC-89-3
Paquete / Caja (carcasa) SC-89, SOT-490
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI1013X-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI1013X-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3.000
  • Cantidad disponible: 24.000 - Inmediata
  • Precio unitario: 0,12762 €
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 27.421 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

19:42:53 8/17/2019