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SI1013X-T1-GE3 Canal P Montaje en superficie 20V 350mA (Ta) 250mW (Ta) SC-89-3
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7.535 En Stock
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0,45000 0,45 €
10 0,37000 3,70 €
25 0,33840 8,46 €
100 0,21260 21,26 €
250 0,21024 52,56 €
500 0,19686 98,43 €
1.000 0,13386 133,86 €

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : SI1013X-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3.000
  • Cantidad disponible: 6.000 - Inmediata
  • Precio unitario: 0,12835 €
  • Digi-Reel®  : SI1013X-T1-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 7.535 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

SI1013X-T1-GE3

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key SI1013X-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SI1013X-T1-GE3
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Descripción MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 20V 350mA (Ta) 250mW (Ta) SC-89-3

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Documentos y medios
Hojas de datos Si1013R,X
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 350mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8V, 4.5V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.2Ohm a 350mA, 4.5V
Vgs(th) (máx.) en Id 450mV a 250µA (mín.)
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 1,5nC @ 4,5V
Vgs (máx.) ±6V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 250mW (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SC-89-3
Paquete / Caja (carcasa) SC-89, SOT-490
Número de pieza base SI1013
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres SI1013X-T1-GE3CT