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IRLI640GPBF

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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IRLI640GPBF
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Descripción MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220FP
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Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 200V 9.9 A (Tc) 40W (Tc) TO-220-3

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Documentos y medios
Hojas de datos IRLI640G
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Diseño/especificación de PCN Advisory 20/Mar/2019
Ensamble/origen de PCN Mult Devices 18/Jul/2017
Modelos EDA / CAD Descargar de Ultra Librarian
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie -
Empaquetado Tubo 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 9.9 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4V, 5V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 180mOhm a 5.9A, 5V
Vgs(th) (máx.) en Id 2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 66nC @ 10V
Vgs (máx.) ±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1800pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 40W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, conductores aislados, paquete completo
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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Envase estándar 50
Otros nombres *IRLI640GPBF