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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFBE30PBF-ND
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Cantidad disponible 4.526
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRFBE30PBF

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Descripción MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB
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Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 800V 4.1 A (Tc) 125 W (Tc) TO-220AB

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Documentos y medios
Hojas de datos IRFBE30
Packaging Information
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Assembly Site Add 13/Jan/2017
Hoja de datos de HTML Packaging Information
Modelos EDA / CAD ? Descargar de Ultra Librarian
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 800V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 4.1 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3 Ohm a 2.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 78nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1300pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 125 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres *IRFBE30PBF

15:28:06 2/23/2019