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IRFB18N50KPBF

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key IRFB18N50KPBF-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IRFB18N50KPBF
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Descripción MOSFET N-CH 500V 17A TO-220AB
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Plazo estándar del fabricante 18 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 500V 17 A (Tc) 220W (Tc) TO-220AB

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Documentos y medios
Hojas de datos IRFB18N50K
Packaging Information
Ensamble/origen de PCN Assembly Site Add 13/Jan/2017
Hoja de datos de HTML Packaging Information
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie -
Empaquetado Tubo 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 500V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 17 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 290mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 120nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2830pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 220W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Reemplazo directo
Número de pieza Fabricante Cantidad disponible Precio unitario
SIHP18N50C-E3 Vishay Siliconix 41 - Inmediata
2,43000 €
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