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100 0,47290 47,29 €
500 0,40080 200,40 €
1.000 0,32651 326,51 €
2.500 0,32200 805,00 €
5.000 0,29273 1.463,64 €
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IRF510PBF

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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IRF510PBF
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Descripción MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
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Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 100V 5.6 A (Tc) 43W (Tc) TO-220AB

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Referencia del cliente
Documentos y medios
Hojas de datos IRF510, SiHF510
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Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie -
Embalaje Tubo 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 5.6 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 540mOhm a 3.4A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 8,3nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 180pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 43W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Número de pieza base IRF510
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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