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IRF510PBF

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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IRF510PBF
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Descripción MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
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Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 100V 5.6 A (Tc) 43W (Tc) TO-220AB

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Documentos y medios
Hojas de datos IRF510
Packaging Information
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN PCN-SIL-0102014 Rev 0 23/May/2014
Hoja de datos de HTML Packaging Information
Modelos EDA/CAD Available In the Digi-Key KiCad Library
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie -
Empaquetado Tubo 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 5.6 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 540mOhm a 3.4A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 8,3nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 180pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 43W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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