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TPN1600ANH,L1Q Canal N Montaje en superficie 100V 17 A (Tc) 700mW (Ta), 42W (Tc) 8-TSON avanzado (3.3x3.3)
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Escala de precios Precio unitario Precio total
5.000 0,26479 1.323,96 €
10.000 0,24518 2.451,78 €
25.000 0,24125 6.031,37 €
50.000 0,23537 11.768,53 €

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  • Cinta cortada (CT)  : TPN1600ANHL1QCT-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 389 - Inmediata
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  • Digi-Reel®  : TPN1600ANHL1QDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 389 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

TPN1600ANH,L1Q

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key TPN1600ANHL1QTR-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante TPN1600ANH,L1Q
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Descripción MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV
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Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 100V 17 A (Tc) 700mW (Ta), 42W (Tc) 8-TSON avanzado (3.3x3.3)

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Hojas de datos TPN1600ANH
Producto destacado U-MOSⅧ-H MOSFETs
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Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Serie U-MOSVIII-H
Embalaje Cinta y rollo (TR) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 17 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 16mOhm a 8.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 4V a 200µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 19nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1600pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 700mW (Ta), 42W (Tc)
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-TSON avanzado (3.3x3.3)
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerVDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 5.000
Otros nombres TPN1600ANH,L1Q(M
TPN1600ANHL1QTR