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TPN1600ANH,L1Q Canal N Montaje en superficie 100V 17 A (Tc) 700mW (Ta), 42W (Tc) 8-TSON avanzado (3.3x3.3)
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0,74000 0,74 €
10 0,64700 6,47 €
25 0,60800 15,20 €
100 0,44140 44,14 €
250 0,42564 106,41 €
500 0,36874 184,37 €
1.000 0,31383 313,83 €
2.500 0,29421 735,53 €

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : TPN1600ANHL1QTR-ND
  • Cantidad mínima: 5.000
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: 0,26479 €
  • Cinta cortada (CT)  : TPN1600ANHL1QCT-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 289 - Inmediata
  • Precio unitario: 0,74000 €

TPN1600ANH,L1Q

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key TPN1600ANHL1QDKR-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante TPN1600ANH,L1Q
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Descripción MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV
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Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 100V 17 A (Tc) 700mW (Ta), 42W (Tc) 8-TSON avanzado (3.3x3.3)

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Documentos y medios
Hojas de datos TPN1600ANH
Producto destacado U-MOSⅧ-H MOSFETs
Server Solutions
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Categorías
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Serie U-MOSVIII-H
Embalaje Digi-Reel® 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 17 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 16mOhm a 8.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 4V a 200µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 19nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1600pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 700mW (Ta), 42W (Tc)
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-TSON avanzado (3.3x3.3)
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerVDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres TPN1600ANHL1QDKR