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10 0,30400 3,04 €
100 0,20690 20,69 €
500 0,15518 77,59 €
1.000 0,11639 116,39 €
2.500 0,10669 266,72 €
5.000 0,10022 501,11 €

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  • Cinta y rollo (TR)  : SSM3K59CTBL3FTR-ND
  • Cantidad mínima: 10.000
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: 0,09103 €
  • Digi-Reel®  : SSM3K59CTBL3FDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 9.295 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

SSM3K59CTB,L3F

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key SSM3K59CTBL3FCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SSM3K59CTB,L3F
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Descripción MOSFET N-CH 40V 2A CST3B
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Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 40V 2 A (Ta) 1W (Ta) CST3B

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Documentos y medios
Hojas de datos SSM3K59CTB
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Serie U-MOSVII-H
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 2 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8V, 8V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 215mOhm a 1A, 8V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.2V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 1,1nC @ 4,2V
Vgs (máx.) ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 130pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1W (Ta)
Temperatura de operación 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor CST3B
Paquete / Caja (carcasa) 3-SMD, sin conductor
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres SSM3K59CTBL3FCT