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SSM3K56CT,L3F Canal N Montaje en superficie 20V 800 mA (Ta) 500 mW (Ta) CST3
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1 0,51000 0,51 €
10 0,36500 3,65 €
100 0,21470 21,47 €
500 0,12150 60,75 €
1.000 0,09316 93,16 €

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SSM3K56CTL3FCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SSM3K56CT,L3F

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Descripción MOSFET NCH 20V 800MA CST3
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 20V 800 mA (Ta) 500 mW (Ta) CST3

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Documentos y medios
Hojas de datos SSM3K56CT
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Categorías
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Serie U-MOSVII-H
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 800 mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.5 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 235 mOhm a 800 mA, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 1nC @ 4,5V
Vgs (máx.) ±8 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 55pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 500 mW (Ta)
Temperatura de operación 150 °C (TA)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor CST3
Paquete / Caja (carcasa) 3-XFDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SSM3K56CTL3FCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SSM3K56CTL3FTR-ND
  • Cantidad mínima: 10.000
  • Cantidad disponible: 60.000 - Inmediata
  • Precio unitario: 0,06310 €
  • Digi-Reel® ? : SSM3K56CTL3FDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 72.922 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

02:25:48 11/18/2018