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SSM3K16CTC,L3F Canal N Montaje en superficie 20V 200mA (Ta) 500mW (Ta) CST3C
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0,27000 0,27 €
10 0,22500 2,25 €
25 0,18880 4,72 €
100 0,09220 9,22 €
250 0,09068 22,67 €
500 0,07688 38,44 €
1.000 0,05341 53,41 €
2.500 0,04964 124,10 €
5.000 0,04293 214,67 €

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : SSM3K16CTCL3FTR-ND
  • Cantidad mínima: 10.000
  • Cantidad disponible: 10.000 - Inmediata
  • Precio unitario: 0,03560 €
  • Digi-Reel®  : SSM3K16CTCL3FDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 18.686 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

SSM3K16CTC,L3F

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key SSM3K16CTCL3FCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SSM3K16CTC,L3F
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Descripción X34 SMALL LOW ON RESISTANCE NCH
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Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 20V 200mA (Ta) 500mW (Ta) CST3C

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Documentos y medios
Hojas de datos SSM3K16CTC
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Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Serie -
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 200mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.5V, 4.5V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 2.2Ohm a 100mA, 4.5V
Vgs(th) (máx.) en Id 1V a 1mA
Vgs (máx.) ±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 12pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 500mW (Ta)
Temperatura de operación 150°C
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor CST3C
Paquete / Caja (carcasa) SC-101, SOT-883
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres SSM3K16CTCL3FCT