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SSM3K16CTC,L3F Canal N Montaje en superficie 20V 200mA (Ta) 500mW (Ta) CST3C
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10 0,22400 2,24 €
25 0,18800 4,70 €
100 0,09190 9,19 €
250 0,09044 22,61 €
500 0,07668 38,34 €
1.000 0,05327 53,27 €
2.500 0,04951 123,77 €
5.000 0,04282 214,11 €

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : SSM3K16CTCL3FTR-ND
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SSM3K16CTC,L3F

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key SSM3K16CTCL3FCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SSM3K16CTC,L3F
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Descripción X34 SMALL LOW ON RESISTANCE NCH
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 20V 200mA (Ta) 500mW (Ta) CST3C

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Documentos y medios
Hojas de datos SSM3K16CTC
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Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Serie -
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Discontinuo en Digi-Key
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 200mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.5V, 4.5V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 2.2Ohm a 100mA, 4.5V
Vgs(th) (máx.) en Id 1V a 1mA
Vgs (máx.) ±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 12pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 500mW (Ta)
Temperatura de operación 150°C
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor CST3C
Paquete / Caja (carcasa) SC-101, SOT-883
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres SSM3K16CTCL3FCT