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SSM3J133TU,LF Canal P Montaje en superficie 20V 5.5 A (Ta) 500mW (Ta) UFM
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10 0,32400 3,24 €
100 0,22050 22,05 €
500 0,16540 82,70 €
1.000 0,12405 124,05 €

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SSM3J133TULFCT-ND
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Cantidad disponible 13.807
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SSM3J133TU,LF

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Descripción MOSFET P-CH 20V 5.5A
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Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 20V 5.5 A (Ta) 500mW (Ta) UFM

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Documentos y medios
Hojas de datos SSM3J133TU
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Categorías
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Serie U-MOSVI
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 5.5 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.5V, 4.5V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 29.8mOhm a 3A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) en Id 1V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 12,8nC @ 4,5V
Vgs (máx.) ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 840pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 500mW (Ta)
Temperatura de operación 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor UFM
Paquete / Caja (carcasa) 3-SMD, conductores planos
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SSM3J133TULFCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SSM3J133TULFTR-ND
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 13.807 - Inmediata
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01:44:44 8/18/2019