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SSM3J133TU,LF Canal P Montaje en superficie 20V 5.5 A (Ta) 500mW (Ta) UFM
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0,40000 0,40 €
10 0,32100 3,21 €
25 0,29280 7,32 €
100 0,18390 18,39 €
250 0,18184 45,46 €
500 0,17028 85,14 €
1.000 0,11580 115,80 €

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : SSM3J133TULFTR-ND
  • Cantidad mínima: 3.000
  • Cantidad disponible: 3.000 - Inmediata
  • Precio unitario: 0,11103 €
  • Digi-Reel®  : SSM3J133TULFDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 5.182 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

SSM3J133TU,LF

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key SSM3J133TULFCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SSM3J133TU,LF
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Descripción MOSFET P-CH 20V 5.5A
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Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 20V 5.5 A (Ta) 500mW (Ta) UFM

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Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Serie U-MOSVI
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 5.5 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.5V, 4.5V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 29.8mOhm a 3A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) en Id 1V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 12,8nC @ 4,5V
Vgs (máx.) ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 840pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 500mW (Ta)
Temperatura de operación 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor UFM
Paquete / Caja (carcasa) 3-SMD, conductor plano
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres SSM3J133TULFCT