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TH58NVG2S3HBAI4 Memoria IC FLASH - NAND (SLC) 4 Gb (512 M x 8) Paralelo 63-BGA (9x11)
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 4,79000 4,79 €
10 4,37100 43,71 €
25 4,28760 107,19 €
50 4,25800 212,90 €
210 3,81971 802,14 €
420 3,80502 1.598,11 €
630 3,56751 2.247,53 €
1.050 3,41571 3.586,50 €

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TH58NVG2S3HBAI4-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

TH58NVG2S3HBAI4

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Descripción 4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 (EEPR
Copiar   4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 (EEPR
Descripción detallada

Memoria IC FLASH - NAND (SLC) 4 Gb (512 M x 8) Paralelo 63-BGA (9x11)

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Documentos y medios
Hojas de datos SLC NAND& BENAND
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Categorías
Fabricante Toshiba Memory America, Inc.
Serie -
Empaquetado ? Bandeja ?
Estado de la pieza Activo
Tipo de memoria No volátil
Formato de la memoria Memoria flash
Tecnología FLASH - NAND (SLC)
Capacidad de memoria 4 Gb (512 M x 8)
Interfaz de memoria Paralelo
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, página 25ns
Voltaje de la fuente 2.7V ~ 3.6V
Temperatura de operación -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 63-BGA
Paquete del dispositivo del proveedor 63-BGA (9x11)
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 3 (168 horas)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 210
Otros nombres TH58NVG2S3HBAI4JDH

00:47:17 9/15/2019