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TH58BVG2S3HTAI0 Memoria IC FLASH - NAND (SLC) 4 Gb (512 M x 8) Paralelo 25ns 48-TSOP I
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1 4,79000 4,79 €
10 4,37100 43,71 €
25 4,28760 107,19 €
96 4,25802 408,77 €
192 3,81974 733,39 €
288 3,80503 1.095,85 €
576 3,56752 2.054,89 €
1.056 3,41571 3.606,99 €

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TH58BVG2S3HTAI0-ND
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TH58BVG2S3HTAI0

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Descripción IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I
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Descripción detallada

Memoria IC FLASH - NAND (SLC) 4 Gb (512 M x 8) Paralelo 25ns 48-TSOP I

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Documentos y medios
Hojas de datos Memory Product List
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Categorías
Fabricante Toshiba Memory America, Inc.
Serie Benand™
Empaquetado ? Bandeja ?
Estado de la pieza Activo
Tipo de memoria No volátil
Formato de la memoria Memoria flash
Tecnología FLASH - NAND (SLC)
Capacidad de memoria 4 Gb (512 M x 8)
Interfaz de memoria Paralelo
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, página 25ns
Tiempo de acceso 25ns
Voltaje de la fuente 2.7V ~ 3.6V
Temperatura de operación -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 48-TFSOP (ancho 0.724", 18.40mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 48-TSOP I
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 3 (168 horas)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 96
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TH58BVG2S3HTAI0YCJ

05:33:28 9/19/2019