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TC58BVG2S0HBAI4 Memoria IC FLASH - NAND (SLC) 4 Gb (512 M x 8) Paralelo 25ns 63-TFBGA (9x11)
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1 4,21000 4,21 €
10 3,81800 38,18 €
25 3,73560 93,39 €
50 3,71480 185,74 €
210 3,33152 699,62 €
420 3,31910 1.394,02 €
630 3,19686 2.014,02 €
1.050 3,03939 3.191,36 €

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TC58BVG2S0HBAI4

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key TC58BVG2S0HBAI4-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante TC58BVG2S0HBAI4
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Descripción IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA
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Descripción detallada

Memoria IC FLASH - NAND (SLC) 4 Gb (512 M x 8) Paralelo 25ns 63-TFBGA (9x11)

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Documentos y medios
Hojas de datos TC58BVG2S0HBAI4
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Fabricante Toshiba Memory America, Inc.
Serie Benand™
Empaquetado Bandeja 
Estado de la pieza Activo
Tipo de memoria No volátil
Formato de la memoria Memoria flash
Tecnología FLASH - NAND (SLC)
Capacidad de memoria 4 Gb (512 M x 8)
Interfaz de memoria Paralelo
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, página 25ns
Tiempo de acceso 25ns
Voltaje de la fuente 2.7V ~ 3.6V
Temperatura de operación -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 63-VFBGA
Paquete del dispositivo del proveedor 63-TFBGA (9x11)
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 3 (168 horas)
Recursos adicionales
Envase estándar 210
Otros nombres ASTC58BVG2S0HBAI4
TC58BVG2S0HBAI4JDH
TC58BVG2S0HBAI4YCL
TC58BVG2S0HBAIJDH