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CSD23382F4T Canal P Montaje en superficie 12V 3.5 A (Ta) 500mW (Ta) 3-PICOSTAR
Precio y compra
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
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10 0,22200 2,22 €
25 0,20360 5,09 €
100 0,12800 12,80 €

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : 296-40003-2-ND
  • Cantidad mínima: 3.000
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  • Precio unitario: 0,07552 €
  • Cinta cortada (CT)  : 296-40003-1-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 40.317 - Inmediata
    10.001 - Stock en fábrica 
  • Precio unitario: 0,34000 €
  • Digi-Reel®  : 296-40003-6-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 40.317 - Inmediata
    10.001 - Stock en fábrica 
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®
  • Cinta y rollo (TR)  : 296-37874-2-ND
  • Cantidad mínima: 250
  • Cantidad disponible: 4.000 - Inmediata
    5.250 - Stock en fábrica 
  • Precio unitario: 0,12652 €
  • Digi-Reel®  : 296-37874-6-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 4.071 - Inmediata
    5.250 - Stock en fábrica 
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

CSD23382F4T

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key 296-37874-1-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante CSD23382F4T
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Descripción MOSFET P-CH 12V 3.5A 3PICOSTAR
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Plazo estándar del fabricante 6 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 12V 3.5 A (Ta) 500mW (Ta) 3-PICOSTAR

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Documentos y medios
Hojas de datos CSD23382F4
Página del producto del fabricante CSD23382F4T Specifications
Ensamble/origen de PCN Assembly/Test Site Transfer 19/Dec/2014
Diseño/especificación de PCN DSBGA/uSIP 22/Jun/2016
DSBGA/Usip 14/Sep/2016
Producto destacado Power Management
Embalaje de PCN Carrier Tape 28/Aug/2018
Modelos EDA / CAD Descargar de Ultra Librarian
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Texas Instruments
Serie FemtoFET™
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 12V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 3.5 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 76mOhm a 500mA, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id 1.1V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 1,35nC @ 4,5V
Vgs (máx.) ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 235pF @ 6V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 3-PICOSTAR
Paquete / Caja (carcasa) 3-XFDFN
Número de pieza base CSD23382
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres 296-37874-1