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CSD22205L Canal P Montaje en superficie 8V 7.4 A (Ta) 600mW (Ta) 4-PICOSTAR
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10 0,40900 4,09 €
100 0,30520 30,52 €
500 0,23982 119,91 €
1.000 0,18532 185,32 €

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  • Cinta y rollo (TR)  : 296-47093-2-ND
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  • Precio unitario: 0,31716 €
  • Cinta cortada (CT)  : 296-47093-1-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 1.926 - Inmediata
  • Precio unitario: 0,55000 €
  • Digi-Reel®  : 296-47093-6-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 1.926 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

CSD22205L

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key 296-49605-1-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante CSD22205L
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Descripción MOSFET P-CH 8V 7.4A 4-PICOSTAR
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Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 8V 7.4 A (Ta) 600mW (Ta) 4-PICOSTAR

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Documentos y medios
Hojas de datos CSD22205L Datasheet
Producto destacado Power Management
Página del producto del fabricante CSD22205L Specifications
Modelos EDA/CAD CSD22205L by SnapEDA
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Texas Instruments
Serie NexFET™
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 8V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 7.4 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.5V, 4.5V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 9.9mOhm a 1A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.05V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 8,5nC @ 4,5V
Vgs (máx.) -6V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1390pF @ 4V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 600mW (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 4-PICOSTAR
Paquete / Caja (carcasa) 4-XFLGA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres 296-49605-1