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CSD17382F4T Canal N Montaje en superficie 30V 2.3 A (Ta) 500mW (Ta) 3-PICOSTAR
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 296-44148-6-ND
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Cantidad disponible 14.193
Disponible para envío inmediato

Stock en fábrica ?: 10.001
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

CSD17382F4T

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Descripción MOSFET N-CH 30V 2.3A PICOSTAR
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Plazo estándar del fabricante 6 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 30V 2.3 A (Ta) 500mW (Ta) 3-PICOSTAR

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Documentos y medios
Hojas de datos CSD17382F4
Producto destacado Power Management
Diseño/especificación de PCN DSBGA/uSIP 22/Jun/2016
DSBGA/Usip 14/Sep/2016
Embalaje de PCN Carrier Tape 28/Aug/2018
Página del producto del fabricante CSD17382F4T Specifications
Modelos EDA / CAD ? Descargar de Ultra Librarian
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Categorías
Fabricante Texas Instruments
Serie FemtoFET™
Empaquetado ? Digi-Reel® ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 2.3 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8V, 8V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 64mOhm a 500mA, 8V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 2,7nC @ 4,5V
Vgs (máx.) 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 347pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 500mW (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 3-PICOSTAR
Paquete / Caja (carcasa) 3-XFDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Otros nombres 296-44148-6
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16:34:15 9/17/2019