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1 0,32000 0,32 €
10 0,24300 2,43 €
25 0,21920 5,48 €
100 0,11550 11,55 €
250 0,11428 28,57 €
500 0,10236 51,18 €
1.000 0,07965 79,65 €

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  • Cinta y rollo (TR)  : 296-49600-2-ND
  • Cantidad mínima: 3.000
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    9.000 - Stock en fábrica 
  • Precio unitario: 0,07288 €
  • Cinta cortada (CT)  : 296-49600-1-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 31.224 - Inmediata
    10.001 - Stock en fábrica 
  • Precio unitario: 0,32000 €
  • Cinta y rollo (TR)  : 296-44148-2-ND
  • Cantidad mínima: 250
  • Cantidad disponible: 13.750 - Inmediata
    10.000 - Stock en fábrica 
  • Precio unitario: 0,12444 €
  • Cinta cortada (CT)  : 296-44148-1-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 13.857 - Inmediata
    10.001 - Stock en fábrica 
  • Precio unitario: 0,35000 €
  • Digi-Reel®  : 296-44148-6-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 13.857 - Inmediata
    10.001 - Stock en fábrica 
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

CSD17382F4

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key 296-49600-6-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante CSD17382F4
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Descripción MOSFET N-CH 30V 2.3A LGA
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Plazo estándar del fabricante 6 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 30V 2.3 A (Ta) 500mW (Ta) 3-PICOSTAR

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Documentos y medios
Hojas de datos CSD17382F4
Producto destacado Power Management
Diseño/especificación de PCN DSBGA/uSIP 22/Jun/2016
DSBGA/Usip 14/Sep/2016
Embalaje de PCN Carrier Tape 28/Aug/2018
Página del producto del fabricante CSD17382F4 Specifications
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Texas Instruments
Serie FemtoFET™
Empaquetado Digi-Reel® 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 2.3 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8V, 8V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 64mOhm a 500mA, 8V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 2,7nC @ 4,5V
Vgs (máx.) 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 347pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 500mW (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 3-PICOSTAR
Paquete / Caja (carcasa) 3-XFDFN
Número de pieza base CSD17382
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres 296-49600-6